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回路&レイアウト設計ツール (Ics Design & Layout Editor)

設備ID
KT-120
設置機関
京都大学
設備画像
回路&レイアウト設計ツール
メーカー名
タナーEDA (Tanner EDA)
型番
Tanner Tools Pro
仕様・特徴
・回路設計:回路図エディタ、SPICEシミュレータほか
・レイアウト設計:全角度マスクエディタ、SDL、対応形式(GDSII、CIF、OASIS、DXF、Gerberほか)
・物理検証:DRC、LVS

両面マスクアライナー (Manual High Precision Double-Sided Mask Aligner)

設備ID
KT-155
設置機関
京都大学
設備画像
両面マスクアライナー
メーカー名
ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
型番
MA6 BSA SPEC-KU/3
仕様・特徴
高性能手動両面マスクアライナ装置。
・光源:高圧UVランプ350W(h、i線)
・基板サイズ:Φ4"、Φ6"
・露光モード:コンタクト(ソフト、ハード)、プロキシミティ
・アライメント精度 :±0.5um@表面、 ±0.1um@裏面
・厚膜レジスト対応

原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition)

設備ID
KT-238
設置機関
京都大学
設備画像
原子層堆積装置
メーカー名
サムコ(株) (Samco Inc.)
型番
AD-800LP-KN
仕様・特徴
ナノレベルかつコンフォーマルの薄膜を形成するためのALD装置。ゲート酸化膜、バリア膜、透過防止膜などへの利用が可能。
・成膜方式:サーマル/プラズマ
・基板サイズ:小片~Φ8"
・材料ガス:BDEAS(Si系)、TMA(Al系)、TDMAT(Ti系) ほか(要相談)
・反応ガス:H2O、O2、O3、N2、NH3、H2
・キャリアガス:Ar、N2

UVナノインプリント装置 (UV-based Nanoimprint Lithography)

設備ID
KT-239
設置機関
京都大学
設備画像
UVナノインプリント装置
メーカー名
イーヴィグループ (EV Group)
型番
EVG6200TBN
仕様・特徴
光硬化性ポリマーやフォトレジストにナノ・マイクロレベルの構造を形成する光インプリントリソグラフィー装置。
・LED光源:365nm、405nm、436nm
・最大基板サイズ:6インチΦ(不定形対応)
・アライメント:±3.0μm

熱インプリント装置 (Hot Embossing System)

設備ID
KT-240
設置機関
京都大学
設備画像
熱インプリント装置
メーカー名
イーヴィグループ (EV Group)
型番
EVG510
仕様・特徴
プラスチック基板やポリマーを塗布した半導体ウェハを加熱加圧によりエンボス加工する装置。
・最大基板サイズ:6インチΦ(不定形対応)
・最高プロセス温度/荷重:350℃/20kN

ナノインプリントシステム (Nanoimprint Lithography)

設備ID
KT-257
設置機関
京都大学
設備画像
ナノインプリントシステム
メーカー名
Obducat社 (OBDUCAT AB)
型番
Eitre3
仕様・特徴
最大3インチの基板サイズ対応の一括転写ナノインプリント装置
・基板サイズ φ3
・インプリント方式 STU/熱/UV、全面一括
・最高到達温度(熱インプリント時) 250℃

電子線蒸着装置(2) (Electron Beam Evaporator No.2)

設備ID
KT-258
設置機関
京都大学
設備画像
電子線蒸着装置(2)
メーカー名
(株)大阪真空機器製作所 (Osaka Vacuum, Ltd.)
型番
OVE-350
仕様・特徴
実験用電子線蒸着装置。
・基板サイズ:MAX Φ3""
・電子銃:2kW3連E型電子銃(1m×3)
・温度:300℃(ハロゲンランプ)

深堀りドライエッチング装置(2) (Reactive Ion Deep Silicon Etcher No.2)

設備ID
KT-259
設置機関
京都大学
設備画像
深堀りドライエッチング装置(2)
メーカー名
サムコ(株) (Samco Inc.)
型番
RIE-800iPB-KU
仕様・特徴
ボッシュプロセスを導入したMEMS用高速シリコンエッチング装置
(13.56MHz,400KHz 電源搭載)
・ボッシュプロセス 
・基板サイズ Φ6"ウエハ 用途:Si
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