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エキシマ手動レーザーカッター (Ecimer manual laser cutter)

設備ID
UT-912
設置機関
東京大学
設備画像
エキシマ手動レーザーカッター
メーカー名
浜松ホトニクス (Hamamatsu Photonics)
型番
L7270MH
仕様・特徴
266nmのレーザー光により指定した点の薄膜(ポリイミド等)を除去できる。

UVレーザープリント基板加工装置 (Prited Circuit Board Processing Tool using UV Laser)

設備ID
UT-913
設置機関
東京大学
設備画像
UVレーザープリント基板加工装置
メーカー名
LPKF (LPKF)
型番
ProtoLaser U4
仕様・特徴
波長355nmの多目的UVレーザー加工機。
加工範囲:最大229mm×305mm×10mm。
直径約20µmのレーザー焦点により銅箔18µmのFR4基板に65µm(50µmの加工ライン、15µmのスペース幅)のピッチの加工が可能。

金属三次元NC加工装置 (3D NC Mechanical Processsing Tool for Metal)

設備ID
UT-914
設置機関
東京大学
設備画像
金属三次元NC加工装置
メーカー名
Rorand (Rorand)
型番
MDX-540A
仕様・特徴
三次元カットオプション付き。機械加工により金属を含む材料の加工が可能。治具作製に最適。

60W CO2 NC レーザーカッター (NC Laser Cutter usnig 60W CO2 Laser)

設備ID
UT-915
設置機関
東京大学
設備画像
60W CO2 NC レーザーカッター
メーカー名
Universal Systems (Universal Systems)
型番
VLS4.60
仕様・特徴
アクリル板など有機材料の精密カットが可能。テーブルサイズ609×457mm

ダイシングソー装置 (Dicing saw)

設備ID
NU-210
設置機関
名古屋大学
設備画像
ダイシングソー装置
メーカー名
ディスコ (Disco)
型番
DAD522
仕様・特徴
・最大ワークサイズ:Φ152.4 mm
・切削可能範囲(XY): 220 mm×160 mm
・有効ストローク(Z):27.2 mm
・回転角:380°
・アラインメント用対物レンズ:100倍

レーザダイシング装置 (Laser Stealth Dicer)

設備ID
KT-218
設置機関
京都大学
設備画像
レーザダイシング装置
メーカー名
(株)東京精密 (TOKYO SEIMITSU CO., LTD.)
型番
Mahoh Dicer ML200
仕様・特徴
完全ドライプロセスに対応したSi専用のダイシングマシン。
・基板サイズ:MAX Φ6
・高速切断可(300mm/sec)
・エンジン:浜松ホトニクス製

ダイシングソー (Automatic Dicing Saw)

設備ID
KT-219
設置機関
京都大学
設備画像
ダイシングソー
メーカー名
(株)ディスコ (DISCO Corporation)
型番
DA D322
仕様・特徴
ブレードを高速回転させてシリコン、サファイヤ、金属等の基板をカットする
・ワークサイズ MAX Φ6ウエハ
・加工対象 Si,セラミックス,PZT,LiTaO3,ガラス,石英,複合材 ほか

真空マウンター (Wafer Vacuum Mounter)

設備ID
KT-220
設置機関
京都大学
設備画像
真空マウンター
メーカー名
日本電気(株) (NEC Corporation)
型番
VTL-201
仕様・特徴
低真空圧力環境下でウエハーに粘着テープを貼り付ける装置
・基板サイズ Wafer Φ6以下

紫外線照射装置 (UV Curing System)

設備ID
KT-221
設置機関
京都大学
設備画像
紫外線照射装置
メーカー名
(株)テクノビジョン (Technovision, Inc.)
型番
LED-4082
仕様・特徴
LEDを光源として特定波長の紫外線を照射することにより、UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高めることを目的とした装置
・UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高める装置
・基板サイズ Wafer Φ6以下

エキスパンド装置 (Die Matrix Expander)

設備ID
KT-222
設置機関
京都大学
設備画像
エキスパンド装置
メーカー名
(株)テクノビジョン (Technovision, Inc.)
型番
TEX-21BG GR-5
仕様・特徴
ダイシングされたウエハーを粘着フィルムごとX-Y方向に均一に引き伸ばし拡張する装置。
・基板サイズ Wafer Φ6以下
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