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ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2 (Substrate Bonder)

設備ID
UT-917
設置機関
東京大学
設備画像
ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2
メーカー名
ズースマイクロテック (Suss MicroTec)
型番
SB8 Gen2
仕様・特徴
ウエーハ同士を接合する装置。位置合わせはマスクアライナーMA6(UT-504)で行う。MEMSプロセスや三次元配線形成に用いられる装置。
最大加熱温度:550℃、温度均一性:±1.5℃
温度再現性:±3℃、最大加熱速度:30K/分
最大冷却速度:25K/分、最大加圧力:20kN
圧力均一性:±2%

精密研磨装置PM-6 (C.M. Polisher)

設備ID
UT-916
設置機関
東京大学
設備画像
精密研磨装置PM-6
メーカー名
ロジテック (Logitec)
型番
PM-6
仕様・特徴
化学研磨装置
対象物を精密に研磨する装置。研磨剤によって、高速に粗く削る(ラッピング)ことも、低速に平坦性を確保する(ポリッシング)ことも可能。4”丸型ウエーハまで研磨可能。
回転機構:1軸タイプ
最大サンプル径:4インチ

マイクロマニピュレータ (Micromanipulator)

設備ID
TU-269
設置機関
東北大学
設備画像
マイクロマニピュレータ
メーカー名
Micro support (Micro support)
型番
-
仕様・特徴
マイクロスコープ一体型

セミオートワイヤボンダ (Semi-automatic wire bonder)

設備ID
TU-266
設置機関
東北大学
設備画像
セミオートワイヤボンダ
メーカー名
TPT (TPT)
型番
HB16
仕様・特徴
セミオート対応

ダイシングソー [DAD322] (Dicing Saw [DAD322])

設備ID
NM-629
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ダイシングソー [DAD322]
メーカー名
ディスコ (DISCO)
型番
DAD322
仕様・特徴
・用途:各種基板の小片化
・切削刃:ダイヤモンドブレード
・切削範囲:XY:162mm以下
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:オート/セミオート/マニュアルアライメント機能
・その他:3Dマッピング機能

ワイヤーボンダー [7476D #2] (Wire Bonder [7476D #2])

設備ID
NM-632
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ワイヤーボンダー [7476D #2]
メーカー名
ハイソル(West Bond) (HiSOL (West Bond))
型番
7476D
仕様・特徴
・用途:チップキャリアへのボンディング
・ボンディング方式:超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
・ボンディングウェッジ:45°,90°
・ワイヤー材質:金線,アルミ線
・ワークホルダー温度:300度以下
・最大試料サイズ:50mm角以下,DIPパッケージ

ブラシスクラバ (Brush scrubber)

設備ID
TU-009
設置機関
東北大学
設備画像
ブラシスクラバ
メーカー名
全協化成 (Zenkyo)
型番
特注
仕様・特徴
サンプルサイズ:20mm角~6インチ

SUSS ウェハ接合装置 (Wafer bonder)

設備ID
TU-251
設置機関
東北大学
設備画像
SUSS ウェハ接合装置
メーカー名
SUSS (SUSS)
型番
SB6e
仕様・特徴
サンプルサイズ:20mm角~6インチ
チャンバ雰囲気:真空~大気圧~+2気圧
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:13kN
陽極接合最大電圧:-2000V
基板温度:室温~500℃

EVG ウェハ接合用アライナ (EVG aligner for wafer bonding)

設備ID
TU-252
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合用アライナ
メーカー名
EVG (EVG)
型番
Smart View Aligner
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
可視光を用いた接合面どうしのアライメント
赤外光を用いた透過アライメントも可能

EVG ウェハ接合装置 (EVG wafer bonder)

設備ID
TU-253
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
520
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:7kN
基板温度:室温~500℃
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