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ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2 (Substrate Bonder)

設備ID
UT-917
設置機関
東京大学
設備画像
ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2
メーカー名
ズースマイクロテック (Suss MicroTec)
型番
SB8 Gen2
仕様・特徴
ウエーハ同士を接合する装置。位置合わせはマスクアライナーMA6(UT-504)で行う。MEMSプロセスや三次元配線形成に用いられる装置。
最大加熱温度:550℃、温度均一性:±1.5℃
温度再現性:±3℃、最大加熱速度:30K/分
最大冷却速度:25K/分、最大加圧力:20kN
圧力均一性:±2%

SUSS ウェハ接合装置 (Wafer bonder)

設備ID
TU-251
設置機関
東北大学
設備画像
SUSS ウェハ接合装置
メーカー名
SUSS (SUSS)
型番
SB6e
仕様・特徴
サンプルサイズ:20mm角~6インチ
チャンバ雰囲気:真空~大気圧~+2気圧
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:13kN
陽極接合最大電圧:-2000V
基板温度:室温~500℃

EVG ウェハ接合用アライナ (EVG aligner for wafer bonding)

設備ID
TU-252
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合用アライナ
メーカー名
EVG (EVG)
型番
Smart View Aligner
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
可視光を用いた接合面どうしのアライメント
赤外光を用いた透過アライメントも可能

EVG ウェハ接合装置 (EVG wafer bonder)

設備ID
TU-253
設置機関
東北大学
設備画像
EVG ウェハ接合装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
520
仕様・特徴
サンプルサイズ:4、6、8インチ
到達真空度:5E-3Pa
最大加圧:7kN
基板温度:室温~500℃

EVG プラズマ活性化装置 (EVG plasma activation)

設備ID
TU-254
設置機関
東北大学
設備画像
EVG プラズマ活性化装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
810
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
ガス:N2、O2、Ar

赤外線顕微鏡 (Infrared microscope)

設備ID
TU-309
設置機関
東北大学
設備画像
赤外線顕微鏡
メーカー名
オリンパス/浜松ホトニクス (Olympus/Hamamatsu)
型番
-
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

超音波顕微鏡 (Ultrasonic microscope)

設備ID
TU-312
設置機関
東北大学
設備画像
超音波顕微鏡
メーカー名
インサイト (Insight)
型番
IS-350
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~300mm角
反射測定、透過測定の両方可
超音波周波数:10MHz、15MHz、25MHz、35MHz、50MHz、110MHz、200MHz

ウエハ接合装置 (Surface Activated Wafer Bonder)

設備ID
KT-254
設置機関
京都大学
設備画像
ウエハ接合装置
メーカー名
ボンドテック(株) (Bondtech Co., Ltd.)
型番
WAP-100
仕様・特徴
特殊仕様につきアライメント接合不可 プラズマ活性4インチウエハ対応
・4インチウェハ,高精度アライメント
・常温接合・陽極接合

基板貼付け装置 (Wafer bonding equipment)

設備ID
IT-019
設置機関
東京工業大学
設備画像
基板貼付け装置
メーカー名
アユミ工業 (Ayumi Inc)
型番
 VE-07-18 
仕様・特徴
・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角
・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2
・最大プラズマ強度:750W
・アライメント精度<±1.6 μm
・チャンバー真空度:~10-5 Pa
・最大加熱温度:500℃
・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf
・加重部 加重範囲:50~1000 kgf

ウェハ洗浄装置 (Single Wafer Cleaning System)

設備ID
IT-020
設置機関
東京工業大学
設備画像
ウェハ洗浄装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
EVG301
仕様・特徴
・PVA製スポンジブラシ洗浄 ・メガソニック洗浄(最大振動子出力:40 W) ・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角
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