共用設備検索結果
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電子線露光装置 (Electron beam lithography)
- 設備ID
- NU-206
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX6300FS
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：25/50/100kV
・最小ビーム径：2nm
・ビーム電流：100pA-2nA
・重ね合わせ精度：±9nm
・最大試料サイズ：4inchφ
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-208
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
- 型番
- MA-6
- 仕様・特徴
- ・対応基板サイズ：10mm～最大6インチ径ウェハ
・主波長：350 nm〜450 nm
・裏面アラインメント機能（CCD画像記憶方式）
・アライメント精度:±0.5 µm(表面アラインメント)，±0.1 µm(裏面アラインメント)
レーザー描画装置 (Laser lithography)
- 設備ID
- NU-222
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66FS
- 仕様・特徴
- ・最小描画サイズ：0.6 µm
・最大描画サイズ：200mm x 200mm
・直描およびガラスマスク作製
フォトリソグラフィ装置群 (photo lighography system)
- 設備ID
- NU-223
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 共和理研 (Kyowariken)
- 型番
- K310P100S
- 仕様・特徴
- ・最大2インチ基板
・マスクサイズ：３インチ
・最小パタンサイズ ２µm
・スピンコータ，ベーク炉，ドラフトチャンバー利用可
マスクレス露光装置 (Maskless lithography)
- 設備ID
- NU-231
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- ・最大露光面積：200 mm x 200 mm
・最小画素：1 µm（高精細露光機能付）
・つなぎ合わせ精度：0.1 µm
・重ね合わせ精度：±1 µm
・オートフォーカス機能有
レーザ描画装置 (Laser lithography)
- 設備ID
- NU-244
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- mPG101-UV
- 仕様・特徴
- ・対応基板：100 mm ×100 mm
・加工精度：3 µm
・最小アドレスグリッド：100 nm
・対応データ：DXF，CIF，BMP
3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)
- 設備ID
- NU-246
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
- 型番
- Photonic Professional SCLEAD3CD2000
- 仕様・特徴
- Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度：100 nm
・3次元加工精度：150 nm
・対応データ：DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度：100 ℃
・設計圧力：20 MPa
ナノインプリント装置 (Nanoimprint)
- 設備ID
- NU-247
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- SCIVAX (SCIVAX)
- 型番
- X-300 BVU-ND
- 仕様・特徴
- ・形式：熱式，UV式
・最大ワークサイズ：Φ150 mm
・最大荷重：50 kN
・最高仕様温度：250℃，650℃
・UV機能：波長 365 nm／385 nm
・有効照射面積：□100 mm
高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )
- 設備ID
- NU-249
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
- 型番
- JSM-7000FK SPG-724
- 仕様・特徴
- ・分解能：1.2 nm(30kV)
・倍率：×10～×1,000,000
・試料室：最大200 mm
・描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド：50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□（ラスタースキャン），2,500 µm□，1ブロック＝2.5 µm□（ブロックスキャン）
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-250
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
- 型番
- MJB-3
- 仕様・特徴
- ・最大ウェーハサイズ：3 inch（吸引モード），4 inch（ソフトコンタクト）
・照射範囲：3×3 inch
・対応基板厚さ：4.5 mm
両面露光：可能（赤外線照明）