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自動搬送電子ビーム描画装置 (Automatic Transport Electron Beam Lithography System)
- 設備ID
- OS-104
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-BODEN-OU4801
- 仕様・特徴
- 【特徴】
ZnO/W熱電解放射型電子銃の採用により、最小ビーム径1.5nmφの極細線用ビームを長時間安定して使用することができます。また最高150kVの加速電圧を採用し、最小線幅4nmの描画が可能です。
【仕様】
加速電圧：150kV
最小電子ビーム径：φ1.5nm
最小描画線幅：4nm
ビーム電流可変域：5pA-100nA
描画フィールドサイズ：□100μm、□250μm、□500μm
高速大面積電子ビームリソグラフィー装置 (High speed and large area electron beam lithography system)
- 設備ID
- OS-105
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-S50LBC
- 仕様・特徴
- 【特徴】
加速電圧50kVで1µAのビーム電流が得られる。最高クロック周波数100MHzの高速ビーム変更システムを搭載し、大面積を高スループットで描画することに特化。
【仕様】
電子銃：ZrO/W熱電界放出型（TFE）
描画方式：ベクタースキャン方式
加速電圧：20, 30, 50kV
ビーム電流：100pA～1µA
描画フィールド：100µm□～3000µm□
試料サイズ：10～25mm□、3インチ□、4インチ・6インチφウエハ
超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system)
- 設備ID
- RO-111
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-G100
- 仕様・特徴
- 試料サイズ：2～6インチ直径の定型ウエハ
加速電圧：100kV，50kV, 25kV
電子ビームの最小スポットサイズ：ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下
最小線幅：6nm
電子線描画装置 (Electron beam lithography system)
- 設備ID
- GA-001
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 加速電圧：50kV、30kV、20kV
描画可能な最小線幅10nm
フィールドつなぎ精度50nm 以下
描画対象：6インチまで対応可能
所要時間：線幅1μm／2インチウエハ；5～6時間
線幅10nm／2インチウエハ；4日間
電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system)
- 設備ID
- IT-038
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX-8100
- 仕様・特徴
- スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能
JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。
各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア（GenISys Beamer）を含む。
電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100] (EB Lithography [ELS-BODEN100])
- 設備ID
- NM-635
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]](data/facility_item/1687416131_11.jpg)
- メーカー名
- 株式会社エリオニクス (ELIONIX INC.)
- 型番
- ELS-BODEN100
- 仕様・特徴
- 【遠隔利用可】
加速電圧：100kV
電流値：100pA~20nA
フィールドサイズ：100, 250, 500, 1000mm（デフォルト）
最小ドットピッチ：0.2nm
最小ショットタイム：10 nsec/dot（分解能：0.1nsec）
フィールドつなぎ精度：(30nm以下)
重ね合わせ精度：(35nm以下)
最大試料サイズ：～8インチΦ
対応CADフォーマット：GDSII, DXF、他
画像検出器：SE、BSE
自動／手動アライメント機能
電子ビーム描画装置 (Electron beam drawing equipment)
- 設備ID
- TT-031
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- クレステック (Crestec)
- 型番
- CABL-AP50S/RD
- 仕様・特徴
- 描画最小径10nm
つなぎ精度50nm/最大1000μm□
グラデーション歪補正可能