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マスクレス露光装置 (Maskless exposure system)
- 設備ID
- IT-003
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1205
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、100mm角露光サイズ、最小描画画素1μm、アライメント精度±0.15μm データ取り込み機能
マスクレス露光装置 (Maskless exposure system)
- 設備ID
- IT-004
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、150mm角露光サイズ、最小描画画素2μm、アライメント精度±0.15μm
クリーンルーム微細加工装置群 (clean room facility)
- 設備ID
- JI-017
- 設置機関
- 北陸先端科学技術大学院大学（JAIST）
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- EBL(30kV, 50kV)、マスクレス露光機(405nm, 375nm)、抵抗加熱蒸着、EB蒸着、RFスパッタ、ECRスパッタ、ALD、MBE、RIE、イオン注入、赤外ランプアニールなど
マスクレス露光装置 (Maskless exposure equipment)
- 設備ID
- TT-005
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- φ4インチにポジ型フォトレジスト（膜厚1μm以上）に、2μm幅のラインアンドスペースを全面（外周3mm除く）に描いたときに、描画時間が30分程度。
露光パターン幅のバラツキが100 nm（1σ）以下。
マスクレス露光装置 (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- MS-101
- 設置機関
- 自然科学研究機構 分子科学研究所
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- 【付帯設備】
精密温度調整機能付クリーンブース
マスクアライナー（ミカサ社製MA-10）
スピンコーター（ミカサ社製MS-A100）
マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)
- 設備ID
- RO-112
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２～４inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素：1μm
マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)
- 設備ID
- RO-113
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インストルメンツ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- MLA150
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２～６inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
レーザ光源：375nm 7.2W 最小画素：1μm
マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system)
- 設備ID
- GA-002
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、
光源:LD(波長375±5nm)
描画方法:直接描画
描画対象:150mm角、
最小描画精度:最小線幅1μm程度、
アライメント精度±0.15μm
マスクレス露光装置 [DL-1000] (Maskless Lithography [DL-1000])
- 設備ID
- NM-636
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![マスクレス露光装置 [DL-1000]](data/facility_item/1687416253_11.jpg)
- メーカー名
- 株式会社ナノシステムソリューションズ (Nano System Solutions Inc.)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- ・露光方式：DMD
・露光モード：ステップ＆リピート描画
・光源 405nm半導体レーザー（h線）
・照度 300mW/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大4インチ角
マスクレス露光装置 [MLA150] (Maskless Lithography [MLA 150])
- 設備ID
- NM-660
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![マスクレス露光装置 [MLA150]](data/facility_item/1687417453_11.jpg)
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インスツルメンツ (HEIDELBERG INSTRUMENT)
- 型番
- MLA 150
- 仕様・特徴
- ・露光方式：DMD
・露光モード：スキャニング露光
・光源 375nm半導体レーザー
・照度 7.2W/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大8インチ角