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レーザー直接描画装置DWL66+2024 (Laser Drawing System DWL66+2024)
- 設備ID
- UT-511
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- DWL66+ (2024，375nm）
- 仕様・特徴
- 波長375nm(半導体レーサー 70mW) 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。最小リソグラフィサイズ 0.3μm、重ねリソグラフィ精度±３σで500 nm以下(解像度による)、 128階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れる。また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正が可能。
マスクレス露光装置 (Maskless lithography)
- 設備ID
- NU-260
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ネオアーク (NEOARK)
- 型番
- PALET DDB-701-DL4
- 仕様・特徴
- ・露光領域：100mm x 100mm
・最大ワークサイズ：Φ150mm x 10mm
・光源：365nm LED
・最小画素：3µm（対物レンズx10），15µm（対物レンズx2）
レーザー描画装置 [DWL66+] (Laser Lithography [DWL66+])
- 設備ID
- NM-603
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![レーザー描画装置 [DWL66+]](data/facility_item/NM-603.jpg)
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インストルメンツ (HEIDELBERG INSTRUMENT)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- ・光源：375nm 半導体レーザー (70mW)
・描画モード：ラスタースキャン描画、ベクターモード描画
・解像モード：0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm
・最大試料サイズ：8インチ角
・その他：グレースケール描画、重ね合わせ描画
マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P] (Maskless Lithography [DL-1000/NC2P])
- 設備ID
- NM-604
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]](data/facility_item/1651463479_14.jpg)
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-1000 / NC2P
- 仕様・特徴
- ・用途：高速マスクレスパターニング
・光源：405nm 半導体レーザー（h線）
・照度：10W/cm2
・位置決め精度：500nm 以下
・重ね合わせ精度：500nm 以下
・最大試料サイズ：8インチ角
・その他：グレースケール露光，スキャニング露光，自動／手動アライメント機能
レーザ描画装置 (Laser writer)
- 設備ID
- TU-057
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL2000CE
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～9インチ
波長：405nm
最小描画線幅：0.7µm
マスクレスアライナ (Maskless aligner)
- 設備ID
- TU-058
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- MLA150
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
波長：405nm 、375nm
最小描画線幅：1µm
球面露光装置 (Maskless exposure system for ball)
- 設備ID
- TU-068
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東栄科学産業 (Toei Scientific Instruments)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプル：球体（直径1.0、3.3mm）
最小パターン：1.5µmハーフピッチ
アライメント精度：±5µm
レーザー直接描画装置 DWL66+2018 (Laser Drawing System DWL66+2018)
- 設備ID
- UT-505
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- DWL66+ (2018，405nm）
- 仕様・特徴
- 波長406nm 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。1024階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れる。また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正が可能。
レーザー描画装置 (Laser lithography)
- 設備ID
- NU-222
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66FS
- 仕様・特徴
- ・最小描画サイズ：0.6 µm
・最大描画サイズ：200mm x 200mm
・直描およびガラスマスク作製
マスクレス露光装置 (Maskless lithography)
- 設備ID
- NU-231
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- ・最大露光面積：200 mm x 200 mm
・最小画素：1 µm（高精細露光機能付）
・つなぎ合わせ精度：0.1 µm
・重ね合わせ精度：±1 µm
・オートフォーカス機能有