共用設備検索結果
中分類から探す
両面アライナ (Double-side aligner)
- 設備ID
- TU-056
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- SUSS (SUSS)
- 型番
- MA6/BA6
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
露光波長：ブロードバンド、i線
最小露光線幅：～0.7μm
アライメント精度（片面）：～1μm
アライメント精度（両面）：～3μm
光リソグラフィ装置PEM800 (Photomask aligner PEM-800)
- 設備ID
- UT-502
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ユニオン (UNION)
- 型番
- PEM800
- 仕様・特徴
- 光によるリソグラフィを行う装置。
いわゆる両面4”マスクアライナーと呼ばれる装置。
マスクは5009、4009、2509サイズを取り付け可能。
光リソグラフィ装置MA-6 (MA6 Suss 6” Mask Aligner)
- 設備ID
- UT-504
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズースマイクロテック (SUSS MicroTec)
- 型番
- MA6
- 仕様・特徴
- 精密な位置合わせ（表裏1ミクロン精度）が可能で、欠片から6インチまでの露光が可能なマスクアライナー。普段は混合で利用していますが必要であればi線フィルターをかけることができます。
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-208
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
- 型番
- MA-6
- 仕様・特徴
- ・対応基板サイズ：10mm～最大6インチ径ウェハ
・主波長：350 nm〜450 nm
・裏面アラインメント機能（CCD画像記憶方式）
・アライメント精度:±0.5 µm(表面アラインメント)，±0.1 µm(裏面アラインメント)
フォトリソグラフィ装置群 (photo lighography system)
- 設備ID
- NU-223
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 共和理研 (Kyowariken)
- 型番
- K310P100S
- 仕様・特徴
- ・最大2インチ基板
・マスクサイズ：３インチ
・最小パタンサイズ ２µm
・スピンコータ，ベーク炉，ドラフトチャンバー利用可
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-250
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
- 型番
- MJB-3
- 仕様・特徴
- ・最大ウェーハサイズ：3 inch（吸引モード），4 inch（ソフトコンタクト）
・照射範囲：3×3 inch
・対応基板厚さ：4.5 mm
両面露光：可能（赤外線照明）
マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-251
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナノテック (Nanometric Technology)
- 型番
- LA410
- 仕様・特徴
- ・適応マスク：最大 5 inch
・適応資料：最大Φ4 inch
・有効露光範囲：Φ80 mm以上
両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
- 設備ID
- NU-257
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ユニオン光学 (Union)
- 型番
- PEM800
- 仕様・特徴
- ・両面露光が可能
・対応基板サイズ：最大４インチ
・最小パターン：3.0μm
紫外線露光装置 (Contact Mask Aligner)
- 設備ID
- KT-106
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)ミカサ (MIKASA CORPORATION)
- 型番
- MA-10
- 仕様・特徴
- 不定形試料に対応した実験用マスクアライナ。
・光源：高圧UVランプ250W（g、h、i線）～10mW/cm2
・基板サイズ：MAXΦ4（不定形対応）
・マスクサイズ：□5、□2.5
・基板厚さ：MAX2mm
厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置 (Advanced Spin Coater )
- 設備ID
- KT-107
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
- 型番
- DELTA80 T3/VP SPEC-KU
- 仕様・特徴
- 高粘度レジスト対応の最大6スピンコータシステム。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、小片基板
・対応レジスト：タンク圧送（10～400cP、800～4,000cP）、シリンジ圧送（10～600cP）
・溶剤リンス：パドル、エッジビード、バックサイド
・GRYSET方式対応
・付帯設備：ホットプレート、ベーパープライマ（HMDS）