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パルスレーザー堆積装置 (Pulse Laser Deposition system)
- 設備ID
- HK-615
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![パルスレーザー堆積装置](data/facility_item/1651473117_14.jpg)
- メーカー名
- パスカル (Pascal)
- 型番
- PAC-LMBE
- 仕様・特徴
- レーザー光源:248nm
基板サイズ:
成膜材料:TiO2、STOなど
原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)
- 設備ID
- HK-616
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![原子層堆積装置](data/facility_item/1651473157_14.jpg)
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 仕様・特徴
- 成膜材料:SiO2、TiO2、Al2O3他(原料持ち込み可)
試料サイズ:最大6インチ
原子層堆積装置(粉末対応型) (Atomic Layer Depositon system (Powder))
- 設備ID
- HK-617
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![原子層堆積装置(粉末対応型)](data/facility_item/1651473188_14.jpg)
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 仕様・特徴
- 成膜材料:TiO2、Al2O3
試料サイズ:最大8インチ、粉末試料(1g~15g)
プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)
- 設備ID
- HK-618
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![プラズマ原子層堆積装置](data/facility_item/1651473209_14.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- 成膜材料:Al2O3他
試料サイズ:最大8インチ
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置 (EB gun/resistant heating-type vacuume evaporation system)
- 設備ID
- HK-703
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![EB加熱・抵抗加熱蒸着装置](data/facility_item/1651473525_14.jpg)
- メーカー名
- アルバック (Ujlvac)
- 型番
- EBX-8C
- 仕様・特徴
- 電子線、抵抗加熱方式
蒸着源:EB4元・抵抗加熱1元
蒸着材料:Si、Al、Fe、 Mo、Au
スパッタ装置 (Sputtering system)
- 設備ID
- HK-704
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![スパッタ装置](data/facility_item/1651473547_14.jpg)
- メーカー名
- 菅製作所 (SUGA)
- 型番
- SSP3000Plus
- 仕様・特徴
- 成膜材料:1元、Au、Cr、FeNi、SiO2等
成膜温度:~300℃
最大試料料サイズ:φ 150mm
液晶配向膜ラビング装置 (Rubbing device for liquid crystal alignment films)
- 設備ID
- CT-018
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
![液晶配向膜ラビング装置](data/facility_item/CT-018.jpg)
- メーカー名
- 日本文化精工 (Nippon Bunkaseiko)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・真空吸着テーブルサイズ(50 x 50 mm)
・ラビングローラー回転速度可変<1,000 rpm
・テーブル移動速度調節可
・真空吸着テーブルθ調整機構付き
試料作製装置群・スピンコーター・スピンコーター・グローブボックス (Sample preparation devices・Spin coater・Spin coater・Glovebox)
- 設備ID
- CT-030
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
![試料作製装置群・スピンコーター・スピンコーター・グローブボックス](data/facility_item/1687938518_11.jpg)
- メーカー名
- ミカサ共和理研美輪製作所 (MikasaKYOWARIKENMiwa Manufacturing)
- 型番
- 1HD7 K-359S1 下置きガス循環精製装置付パージ式
- 仕様・特徴
- グローブボックス
・パージ式ガス置換型
・サイドボックスのみ真空引ガス置換構造
スパッタリング装置 (Sputtering System)
- 設備ID
- BA-002
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
![スパッタリング装置](data/facility_item/BA-002.jpg)
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL (i-miller)
- 仕様・特徴
- スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2
電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- BA-004
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
![電子線蒸着装置](data/facility_item/BA-004.jpg)
- メーカー名
- エイコー (eiko)
- 型番
- EB-350T
- 仕様・特徴
- 到達圧力:1.0×10-6 Pa以下
蒸発源:5 kW 5連EBガン
ルツボ容量:5 cc
基板ホルダー:φ3インチ