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スパッタ絶縁膜作製装置 (Insulator sputtering system)
- 設備ID
- NU-229
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- MESアフティ (MES Afty)
- 型番
- AFTEX-3420
- 仕様・特徴
- ・対応基板サイズ：最大3インチ
・酸化膜，窒化膜用
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
- 設備ID
- NU-232
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LE
- 仕様・特徴
- ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ：212 mmΦ
・加熱温度：最大500℃
・ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2
スパッタリング装置 (Sputtering system)
- 設備ID
- NU-245
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- E-200S
- 仕様・特徴
- ・ターゲット：SiO2，Cr，Au
・膜厚分布：Φ100 mm内±3％
・基板ホルダー：Φ200 mm
・基板加熱：Max 300℃（水冷付）
パリレンコーティング装置 (Parylene coating system)
- 設備ID
- NU-248
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- KISCO (KISCO)
- 型番
- DACS-LAB
- 仕様・特徴
- ・蒸着チャンバー寸法：ID300×H350 mm
・回転：0.5～10rpm
多元スパッタ装置（仕様Ａ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-A )
- 設備ID
- KT-201
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×4（RF電源：1,000W×2）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2
・ターゲット：Ti、Pt、PZT、PLT ほか
・ロードロック機構
多元スパッタ装置（仕様Ｂ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-B )
- 設備ID
- KT-202
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×3（RF電源：1,000W×3）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2、N2
・ターゲット： 各種メタル、各種金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- KT-203
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1200
- 仕様・特徴
- リフトオフ対応の電子線蒸着装置
・基板サイズ：MAX Φ6×3枚
・電子銃：10kW 4連E型電子銃（22ml x 4）
・温度：RT～300℃（ハロゲンランプ）
・蒸着源-基板間距離：300mm（リフトオフ対応）
・蒸着材料：Al、Ti、Cr、Ni、Au、Pt、Ag、Pd ほか
プラズマCVD装置 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System)
- 設備ID
- KT-205
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- 液体ソース（酸化膜／窒化膜用）を用いたプラズマCVD装置。
・基板サイズ：MAX Φ6
・RF電源：500W＠上部(13.56MHz)、500W＠下部(380kHz)
・プロセスガス：C4F8、H2 ほか
・液体ソース：TEOS（テトラエトキシシラン）、TSA（トリシリルアミン）
・温度：150～350℃
真空蒸着装置（１） (Thermal Evaporator No.1)
- 設備ID
- KT-232
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)サンバック (SANVAC CO., LTD.)
- 型番
- RD-1400
- 仕様・特徴
- 真空中で抵抗加熱蒸発源により物質を蒸発させ、電極・マスク材等の金属膜を作製することができます。
・抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式）
・基板 Φ4インチおよびΦ6インチウェハ
・基板加熱温度 最高350℃
真空蒸着装置（２） (Thermal Evaporator No.2)
- 設備ID
- KT-233
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)サンバック (SANVAC CO., LTD.)
- 型番
- RD-1400
- 仕様・特徴
- 真空中で抵抗加熱蒸発源により物質を蒸発させ、電極・マスク材等の金属膜を作製することができます。
・抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式）
・基板 Φ4インチおよびΦ6インチウェハ
・基板加熱温度 最高350℃