共用設備検索
共用設備検索結果
- 設備ID
- NM-609
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- ADS-E86
- 仕様・特徴
- ・用途:自動金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型
・ターゲット:Ti, Cr, Al, Ni, Au, Pt
・到達真空度:10-5 Pa
・TS間距離:500 mm
・最大試料サイズ:φ8inch
・その他:ロードロック式、水冷式試料ステージ
- 設備ID
- NM-610
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- RDEB-1206K
- 仕様・特徴
- ・用途:リフトオフ向け金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型×1式
・ターゲット:12連式(Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他)
・到達真空度:1.0e-5 Pa
・TS間距離:500mm
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:水冷式試料ステージ
- 設備ID
- NM-611
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- ・用途:多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式:サーマルまたはプラズマALD
・原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤:H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤:N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ:最大φ8インチ
・その他:ロードロック式
- 設備ID
- NM-612
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・用途:PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度:400度以下
・最大試料サイズ:φ8inch
- 設備ID
- NM-628
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 東朋テクノロジー (Toho Technology)
- 型番
- FLX-2000-A
- 仕様・特徴
- ・用途:薄膜応力測定
・測定方式:レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー)
・測定範囲:1~4000MPa
・測定再現性:1.3MPa(1σ)
・試料サイズ:φ3inch, φ6inch, φ8inch
・その他:3Dマッピング機能
- 設備ID
- TU-051
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ミカサ (Mikasa)
- 型番
- 1H-DXII
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:小片~6インチ
- 設備ID
- TU-052
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクテス (Actes)
- 型番
- ASC-4000
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:小片~6インチ
- 設備ID
- TU-053
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクテス (Actes)
- 型番
- ASC-4000W
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:4,6,8インチ
- 設備ID
- TU-062
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Suss (Suss)
- 型番
- ACS200Gen3
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:2~8インチ
カセットtoカセット
HMDS処理、コート 3ライン、現像 2ライン、エッジリンス、バックリンス、ホットプレート 4セット、クールプレート 1セット
- 設備ID
- TU-151
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- システムサービス (System service)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ:小片~6インチ
"成膜装置"で検索した結果 160件
- 160件中 11~20件
- <
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- ...
- 16
- >