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LPCVD装置（SiO2用） (Low-pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
- 設備ID
- RO-313
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
モノシランと一酸化窒素の混合モード、
TEOS+オゾン の２つのモード可能、
最高温度850℃
常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
- 設備ID
- RO-314
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.)
- 型番
- M01
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch （一度に～6枚まで可能）
基板温度400℃、
PおよびBドープ可能
プラズマCVD(PECVD)装置 (Plasma-enhanced CVD reactor)
- 設備ID
- RO-315
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルパック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- CPD-1108S
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
SiO2,SiN薄膜の堆積
ICP - CVD装置 (ICP - CVD reactor)
- 設備ID
- RO-316
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：４inch以下
【技術代行専用】
アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜
CCP - CVD装置 (CCP - CVD reactor)
- 設備ID
- RO-317
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：４inch以下
【技術代行専用】
n型アモルファスシリコン膜の成膜
リモートPECVD装置 (Remote Plasma-enhanced CVD reactor)
- 設備ID
- RO-318
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アユミ工業 (Ayumi INDUSTRY CO.,LTD.)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：４inch以下
【技術代行専用】
SiO2、SiNx膜等の絶縁膜を成膜
スパッタ装置（Al用） (Sputtering system for Al, Ti, and TiN deposition)
- 設備ID
- RO-321
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
超高真空仕様、Al以外にTi, TiNのスパッタが可能
スパッタ装置(汎用) (Sputtering system for general purpose)
- 設備ID
- RO-322
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
各種材料スパッタ用
（3インチターゲット交換により広範な材料に対応）
スパッタガス（Ar・O2・N2）
スパッタ装置(Cu用) (Sputtering system for Cu deposition)
- 設備ID
- RO-323
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch
スパッタレート500 nm/8 min
多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering system)
- 設備ID
- RO-324
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
3元スパッタ