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プラズマ・ガス凝縮クラスター堆積装置 (Plasma-Gas-Condensation Cluster Deposition Apparatus)
- 設備ID
- NI-101
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本ビーテック (Vieetech Japan)
- 型番
- 特型
- 仕様・特徴
- クラスターサイズ 直径3～15nm
直流マグネトロンスパッタリング方式
スパッタ電力 最大500W
基板サイズ 最大2cmX2cm
スパッタリング蒸着装置 (Sputtering Deposition Apparatus)
- 設備ID
- NI-102
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- SPC-2000HC
- 仕様・特徴
- ヘリコン波励起スパッタリング
RF電源13.56MHz 200W
真空蒸着装置群 (Vacuum Deposition Equipment)
- 設備ID
- NI-103
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- シンク/MBRAUN (Sinku of Technology Co., Ltd./MBRAUN)
- 型番
- JIS-300AK/DBO-1KP-0
- 仕様・特徴
- ●真空蒸着装置（JIS-300AK）
マイカ基板サイズ：15×15mm（標準）
マイカ厚み：0.1～0.15mm
金膜厚：100〜150nm
●グローブボックス（DBO-1KP-0）
Ar下における少量のサンプル調整（合成）が可能、電子天秤あり
中規模カーボンナノファイバー室温合成装置 (Room-Temperature Carbon Nanofiber Growth System (for Medium Sized Samples))
- 設備ID
- NI-104
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Home-made)
- 型番
- 自作
- 仕様・特徴
- カーボンナノファイバー(CNF)室温合成速度：10 nm/min程度以上。
試料サイズ：1インチ角程度以下。
特型表面ナノ構造形成装置 (Nanostructure Fabrication System)
- 設備ID
- NI-105
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- 特型
- 仕様・特徴
- 基板サイズ：２インチφ程度以下。超斜め入射イオンビームによるマスクレスの表面ナノ構造・ナノドット形成可能、組成制御可能、高分子材料の加工可能。
グラフェン・カーボンナノチューブ合成装置 (Chemical Vapor Deposition System for Graphene and Carbon Nanotubes Growth)
- 設備ID
- NI-106
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Home-made)
- 型番
- 自作
- 仕様・特徴
- 基板サイズ：2cm角程度以下
スパッタ（金属、絶縁体）蒸着装置 (Sputtering vapor depositing equipment)
- 設備ID
- TT-001
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦エレテック (Shibaura eletec Corporatoin)
- 型番
- CFS-4ES
- 仕様・特徴
- ・平行平板型
・ターゲット現有（Ti, Al, Ag, Pd, SiO2, Al2O3, SiN, Au）
多機能薄膜作製装置 (Sputtering vapor depositing / Molecular vapor epitaxy equipment)
- 設備ID
- TT-002
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- BC2925（特注装置）
- 仕様・特徴
- 超高真空仕様
RF2元、DC2元
ターゲット2インチΦと、分子線エピタキシーMBE3元（EBガン）の複合利用可能
多層膜作成可能、主に磁性材料用
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD)
- 設備ID
- TT-003
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech)
- 型番
- Fiji F200
- 仕様・特徴
- 成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。
半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。
磁性薄膜作成評価 (Magnetic thin film creation evaluation)
- 設備ID
- MS-303
- 設置機関
- 自然科学研究機構 分子科学研究所
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- 超高真空下での磁性薄膜作成・磁気光学Kerr効果によるその場観察評価。