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原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)

設備ID
AT-102
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
メーカー名
オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
型番
FlexAL
仕様・特徴
・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W(誘導結合型)
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ

原子層堆積装置_3付帯XPS装置(アルバック・ファイ) (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))

設備ID
AT-103
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
原子層堆積装置_3付帯XPS装置(アルバック・ファイ)
メーカー名
アルバック・ファイ (ULVAC-PHI,)
型番
Quantera II
仕様・特徴
・型式:Quantera II
・試料サイズ:4インチφ
・X線源:単色化Al kα(ローランド直径 200 mm)
・光電子分光器:静電半球型(軌道直径279.4 mm)
・検出器:マルチチャネル検出器 (32 ch)
・スペクトル分析:0~1467 eV
・イメージング:最小ビーム径7.5μm, 最大走査範囲1.4 mmx1.4 mmのSXIイメージング
・最小スペクトル分析面積:7.5μmφ (20% - 80% knife edge法)
・エネルギ分解能:0.48 eV(Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅)
・帯電中和:10 eV以下電子と5~10 eV Arイオン同時照射
・光電子取り出し角度:45°(標準)

原子層堆積装置_4〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_4〔FlexAL〕)

設備ID
AT-104
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
原子層堆積装置_4〔FlexAL〕
メーカー名
オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
型番
FlexAL
仕様・特徴
・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W(誘導結合型)
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O,O2,N2,H2,D2, NH3, ND3
・材料ポート:3ポート
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ

6インチ電子ビーム真空蒸着装置(アールデック) (Electeron Beam Vacuum Evaporator)

設備ID
AT-109
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
6インチ電子ビーム真空蒸着装置(アールデック)
メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
ADS-E86
仕様・特徴
・型式:ADS-E86
・試料サイズ:8インチφ
・蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発
・蒸発源:6連装(6 kW)
・クルーシブル容量:12 ml
・基板ホルダ:冷却機構付(水冷)
・蒸発源―基板間:500 mm
・試料導入:ロードロック自動搬送
・真空排気システム:到達圧力1×10-5 Pa以下、オイルフリー、自動排気
・成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御
・膜厚分布:10 %以内@200mm
・常設ソース材料: Al, Al, Cu, Ti,

イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter)

設備ID
WS-001
設置機関
早稲田大学
設備画像
イオンビームスパッタ装置
メーカー名
伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.)
型番
MILLATRON 820
仕様・特徴
デュアルイオンビームスパッタ装置
試料サイズ 4インチ以下
4ターゲット
基板昇温可能(約400℃)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

設備ID
WS-002
設置機関
早稲田大学
設備画像
電子ビーム蒸着装置
メーカー名
キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
型番
EVC-1501
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能(プラネタリーホルダー)

電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )

設備ID
WS-003
設置機関
早稲田大学
設備画像
電子ビーム蒸着装置
メーカー名
株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
EBX-6D
仕様・特徴
試料サイズ 4インチ以下(プラネタリーホルダーにより、複数枚成膜可能)
金属(Cu, Cr, Ni, Al, Au, Ag等)および絶縁膜(SiO2, ZnO等)の成膜

原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)

設備ID
WS-004
設置機関
早稲田大学
設備画像
原子層堆積装置
メーカー名
PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Japan Co. Ltd.)
型番
SUNALE R-150
仕様・特徴
Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片~4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi

精密めっき装置群+ドラフト群 (plating system)

設備ID
WS-005
設置機関
早稲田大学
設備画像
精密めっき装置群+ドラフト群
メーカー名
特注品 (Custom-made products)
型番
特注品
仕様・特徴
各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで

3連Eガン蒸着装置 ( Elecrton beam evaporator with 3 pocket)

設備ID
IT-008
設置機関
東京工業大学
設備画像
3連Eガン蒸着装置
メーカー名
アルバック ( Ulvac)
型番
EX-300
仕様・特徴
300mm対応 高速排気
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