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"MBE(分子線エピタキシー)"で検索した結果 3件
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8元MBE装置 (8 sources molecular beam epitaxy)
- 設備ID
- NU-214
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
・試料サイズ30 mm角
・高圧電源3台
・基板加熱：1000℃
・1kV Arイオンエッチング機構
・20 kV RHEED表面観察機能
自動制御型パルスレーザ蒸着ナノマテリアル合成装置 (Automatic pulsed laser deposition nano-materials synthesis system)
- 設備ID
- OS-119
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社パスカル (Pascal Co.,Lid.)
- 型番
- MC-LMBE
- 仕様・特徴
- 【特徴】
スキャニングRHEEDと2つのコンビナトリアルマスクを用いて、成長を原子レベルで制御しながら、一枚の基板上に異なる条件の試料を一括作製することが可能です。
【仕様】
レーザー波長：193nm(ArF)
レーザー周波数、エネルギー：1～20Hz、最大240mJ
試料サイズ：10mm×10mm
真空度：10-7Pa台
雰囲気ガス：O2（0.02～20Pa)
基板加熱温度：1200℃
RHEED最大加速電圧：30kV
表面X線回折計 (Surface X-ray diffractometer)
- 設備ID
- QS-113
- 設置機関
- 量子科学技術研究開発機構（QST）
- 設備画像
- メーカー名
- 神津精機（株）ほか (Kohzu Precision Co., Ltd., etc.)
- 型番
- なし（特別仕様）
- 仕様・特徴
- ・半導体ヘテロ構造や多層膜、半導体量子ドット結晶やナノワイヤなどの成長過程について、原子が一層づつ積み上がってゆく様子を、表面X線回折法によってリアルタイム観察できる装置。
・原子状窒素を利用する分子線エピタキシー法により、GaNやInNなどの窒化物半導体の成長を行うことができる。
・良質な電子材料の作成をサポート。
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