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抵抗加熱型真空蒸着装置 (Resistance Heating Vacuum Evaporator)
- 設備ID
- AT-024
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ビームトロン (Biemtron)
- 型番
- KIS_3
- 仕様・特徴
- ・型式:KIS_3
・試料サイズ:3インチφ以下
・蒸着方式:抵抗加熱蒸発
・蒸発源:3ポート
・加熱抵抗体:平板ボート、コイル、バスケット
・傾斜基板ホルダ:±15°
・蒸発源―基板間:250 mm
・試料導入:手動
・真空排気:手動、到達圧力5×10-5 Pa以下
・成膜制御:手動（ 基板シャッター開閉及びヒーター電力調整）
・膜厚モニター:水晶振動子膜厚モニタ付
・ソース材料: Al, Ag, Au, Fe, Ni, Cr, Cu, Ti
６インチ電子ビーム真空蒸着装置（アールデック） (Electeron Beam Vacuum Evaporator)
- 設備ID
- AT-109
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- ADS-E86
- 仕様・特徴
- ・型式:ADS-E86
・試料サイズ:8インチφ
・蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発
・蒸発源:6連装（6 kW）
・クルーシブル容量:12 ml
・基板ホルダ:冷却機構付(水冷)
・蒸発源―基板間:500 mm
・試料導入:ロードロック自動搬送
・真空排気システム:到達圧力1×10-5 Pa以下、オイルフリー、自動排気
・成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御
・膜厚分布:10 %以内@200mm
・常設ソース材料: Al, Al, Cu, Ti,
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )
- 設備ID
- WS-002
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EVC-1501
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能（プラネタリーホルダー）
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vaper Deposition system )
- 設備ID
- WS-003
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- EBX-6D
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下(プラネタリーホルダーにより、複数枚成膜可能)
金属(Cu, Cr, Ni, Al, Au, Ag等)および絶縁膜(SiO2, ZnO等)の成膜
3連Eガン蒸着装置 ( Elecrton beam evaporator with 3 pocket)
- 設備ID
- IT-008
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック ( Ulvac)
- 型番
- EX-300
- 仕様・特徴
- 300mm対応 高速排気
高真空Eガン蒸着装置 (High-vaccum electon beam evaporator)
- 設備ID
- IT-009
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイコーエンジニアリング ( Eiko-engineering)
- 型番
- 特注品
- 仕様・特徴
- ロードロックチャンバ付 6連E-gun 6kW 3連EBガン×2 到達真空度: 5e-8Torr以下 基板サイズ: 20mm角まで 蒸着原材料: Ti,Pd,Ni,Cr,Au
真空蒸着装置群 (Vacuum Deposition Equipment)
- 設備ID
- NI-103
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- シンク/MBRAUN (Sinku of Technology Co., Ltd./MBRAUN)
- 型番
- JIS-300AK/DBO-1KP-0
- 仕様・特徴
- ●真空蒸着装置（JIS-300AK）
マイカ基板サイズ：15×15mm（標準）
マイカ厚み：0.1～0.15mm
金膜厚：100〜150nm
●グローブボックス（DBO-1KP-0）
Ar下における少量のサンプル調整（合成）が可能、電子天秤あり
EB蒸着装置 (EB deposition system)
- 設備ID
- OS-117
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- UEP-2000 OT-H/C
- 仕様・特徴
- 【特徴】
蒸発源として電子ビームを用いることで、蒸発させにくいPt, Au, Ni, Tiなどの金属薄膜の形成が可能。微細構造作製のため基板への斜入射蒸着が可能で、基板の冷却および加熱機能を備える。
【仕様】
高真空中で一度に4種類の金属薄膜形成が可能
試料サイズ：max 4 inch
真空蒸着装置 (Vacuum evaporation system)
- 設備ID
- RO-331
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルパック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch以下
抵抗加熱型の蒸着装置。
２種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。
Al、Au等。
電子線蒸着装置（２） (Electron Beam Evaporator No.2)
- 設備ID
- KT-258
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)大阪真空機器製作所 (Osaka Vacuum, Ltd.)
- 型番
- OVE-350
- 仕様・特徴
- 実験用電子線蒸着装置。
・基板サイズ：MAX Φ3""
・電子銃：2kW3連E型電子銃（1m×3）
・温度：300℃（ハロゲンランプ）