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"スパッタリング（スパッタ）"で検索した結果　　58件

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スパッタ装置(汎用) (Sputtering system for general purpose)

設備ID: RO-322

設置機関: 広島大学

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メーカー名: 株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)

型番

仕様・特徴: 対応wafer：２inch、cut wafer
各種材料スパッタ用
（3インチターゲット交換により広範な材料に対応）
スパッタガス（Ar・O₂・N₂）

スパッタ装置(Cu用) (Sputtering system for Cu deposition)

設備ID: RO-323

設置機関: 広島大学

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メーカー名: 株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)

型番

仕様・特徴: 対応wafer：２inch
スパッタレート500 nm/8 min

多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering system)

設備ID: RO-324

設置機関: 広島大学

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メーカー名: アネルバ (Anelva)

型番

仕様・特徴: 対応wafer：２inch、cut wafer
3元スパッタ

デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)

設備ID: GA-004

設置機関: 香川大学

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メーカー名: ハシノッテク (Hashino-tech)

型番: 10W-IBS

仕様・特徴: 4in-IBS
熱陰極型イオン源:2基（:50～1000eV）
基板加熱温度:最大700゜C
膜形成中のイオン同時照射機能
イオンビ－ムエッチング機能
【ビームガン1：エッチング用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
イオン流密度：0.3～0.6mA/cm² (500V加速時)
ビーム有効径：φ4インチ(分布測定可能)
真空度：～8ｘ10^-5Pa
試料寸法：φ4インチまで
【ビームガン2：デポジション用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
ターゲット：Au、Cr、Tiほか
ステージ角度：ターゲットに対し-90～+90℃設定可
ステージ位置：上下50mm調整可
真空度：～8ｘ10^-5Pa
試料寸法：φ4インチまで

ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群 (Field emission scanning electron microscope)

設備ID: GA-013

設置機関: 香川大学

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メーカー名: 日本電子, 日本電子, 日本電子, ディエナー (JEOL, JEOL, JEOL, diener)

型番: JSM-IT800SHL, JCM-7000, JFC-3000FC, Femto

仕様・特徴: ・JSM-IT800SHL
サンプルサイズ：～φ100mm
分解能：0.7nm(20kV)1.3nm(1kV)
倍率：×27～5,480,000(表示倍率)
加速電圧：0.01～30kV
分析機能：EDS
・JCM-7000
サンプルサイズ：～φ25mm(傾斜回転有)～φ80mm(傾斜回転無)
倍率：×10～100,000
加速電圧：5kV、10kV、15kV(3段)

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2] (Sputter [CFS-4EP-LL #2])

設備ID: NM-641

設置機関: 物質・材料研究機構 (NIMS)

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス株式会社 (SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION)

型番: CFS-4EP-LL

仕様・特徴: ・電源：DC×２、RF×１
・電源出力：500W
・カソード：φ3インチ×4式（強磁性用１）
・基板サイズ：最大6inchφ
・プロセスガス：Ar、O₂、N₂
・基板加熱：設定300℃
・逆スパッタ可

自動搬送芝浦スパッタ装置（冷却型） (Automatic Shibaura sputtering (Cooling))

設備ID: TU-161

設置機関: 東北大学

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)

型番: !-Miller CFS-4EP-LL

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～8インチ
サンプルステージ：直径220mm
基板温度：約20℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×4
方式：スパッタSIDE
到達真空度：8E-5Pa

シンクロンスパッタ装置 (Shincron sputtering)

設備ID: TU-172

設置機関: 東北大学

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メーカー名: シンクロン (Shincron)

型番: RAS-1100BII

仕様・特徴: サンプルサイズ：4インチ
ラジカルアシストにより、緻密な酸化、窒化が可能
基板RFバイアス付

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