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8元マグネトロンスパッタ装置 (8 sources magnetron sputtering)
- 設備ID
- NU-213
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
![8元マグネトロンスパッタ装置](data/facility_item/NU-213.jpg)
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・2インチカソード8本
・試料サイズ30 mm角
・RF電源 500 W 2台
・1 kV Arイオンエッチング機構
・試料交換室に8サンプルバンク可
スパッタ絶縁膜作製装置 (Insulator sputtering system)
- 設備ID
- NU-229
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
![スパッタ絶縁膜作製装置](data/facility_item/1651470138_14.jpg)
- メーカー名
- MESアフティ (MES Afty)
- 型番
- AFTEX-3420
- 仕様・特徴
- ・対応基板サイズ:最大3インチ
・酸化膜,窒化膜用
スパッタリング装置 (Sputtering system)
- 設備ID
- NU-245
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
![スパッタリング装置](data/facility_item/1651470555_14.jpg)
- メーカー名
- キャノンアネルバ (Canon Anelva)
- 型番
- E-200S
- 仕様・特徴
- ・ターゲット:SiO2,Cr,Au
・膜厚分布:Φ100 mm内±3%
・基板ホルダー:Φ200 mm
・基板加熱:Max 300℃(水冷付)
多元スパッタ装置(仕様A) (RF Magnetron Multi-Sputter Type-A )
- 設備ID
- KT-201
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
![多元スパッタ装置(仕様A)](data/facility_item/KT-201.jpg)
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発~小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置(高温対応)。
・基板サイズ:Φ4、Φ6、不定形
・カソード:非磁性体Φ4PMC×4(RF電源:1,000W×2)
・TS距離:100~200mm
・温度:RT~800℃(ハロゲンランプ)
・ガス:Ar、O2
・ターゲット:Ti、Pt、PZT、PLT ほか
・ロードロック機構
多元スパッタ装置(仕様B) (RF Magnetron Multi-Sputter Type-B )
- 設備ID
- KT-202
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
![多元スパッタ装置(仕様B)](data/facility_item/KT-202.jpg)
- メーカー名
- キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発~小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置(高温対応)。
・基板サイズ:Φ4、Φ6、不定形
・カソード:非磁性体Φ4PMC×3(RF電源:1,000W×3)
・TS距離:100~200mm
・温度:RT~800℃(ハロゲンランプ)
・ガス:Ar、O2、N2
・ターゲット: 各種メタル、各種金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
コーティング装置群 (Coating machine for nonconductive specimens)
- 設備ID
- KU-015
- 設置機関
- 九州大学
- 設備画像
![コーティング装置群](data/facility_item/1650500735_2.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEOL JFC-1600、JEOL EC-32010CC
- 仕様・特徴
- 電子顕微鏡試料の調製
ヘリコンスパッタリング装置 (Helicon sputtering system)
- 設備ID
- HK-609
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![ヘリコンスパッタリング装置](data/facility_item/1651472845_14.jpg)
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- MPS-4000C1/HC1
- 仕様・特徴
- カソード:3元(マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ)
成膜材料:Au,Cr,Ti
試料サイズ:最大4インチ
コンパクトスパッタ装置 (Compact Sputter)
- 設備ID
- HK-610
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![コンパクトスパッタ装置](data/facility_item/1651472986_14.jpg)
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- ACS-4000-C3-HS
- 仕様・特徴
- カソード4元(DC3元、RF1元)
成膜材料:SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)
多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering sysutem)
- 設備ID
- HK-611
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![多元スパッタ装置](data/facility_item/1651473009_14.jpg)
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- QAM-4-STS
- 仕様・特徴
- カソード7元(ヘリコン2台含む)
試料:小片~最大Φ100㎜
垂直成膜可能(25mm角まで)
コスパッタ(DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット:Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載(N,O)
イオンビームスパッタ装置 (Ion beam sputtering system)
- 設備ID
- HK-612
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
![イオンビームスパッタ装置](data/facility_item/1651473037_14.jpg)
- メーカー名
- アルバック (Ulvac)
- 型番
- IBS-6000
- 仕様・特徴
- 成膜材料:4元、Ni、Cr、SiO2、W-Si他
試料サイズ:最大3インチ