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アネルバスパッタ装置 (Anelva sputtering )
- 設備ID
- TU-165
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アネルバ (Anelva)
- 型番
- SPF-730
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ、同時処理枚数：4インチ×9枚、または6インチ×4枚
電源：RF×1
ターゲット：8インチ×1
方式：スパッタUP
球面成膜用スパッタ装置 (Sputtering for ball)
- 設備ID
- TU-166
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 和泉テック (Izumi-tech)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプル：球体（直径1.0、3.3mm）
O2プラズマクリーニング可
クイックコータ (Quick coater)
- 設備ID
- TU-318
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu)
- 型番
- SC-701MkII
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～2インチ
川崎ブランチスパッタリング装置 (Multple Cathode Magnetron Sputtering System, CFS-4EP-LL)
- 設備ID
- UT-701
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL
- 仕様・特徴
- ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。
ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。φ200以下のシリコン、ガラス専用。
川崎ブランチECRスパッタリング装置 (Electron-Cyclotron Resonance (ECR) Ion Beam Sputter Deposition System, EIS-230W)
- 設備ID
- UT-702
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- EIS-230W
- 仕様・特徴
- ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。
109と比較して高周波の高密度プラズマを用いているところが違いです。
ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。φ100以下の基板用
8インチ汎用スパッタ装置 (General purpose Sputtering machine, ULVAC SIH-450)
- 設備ID
- UT-703
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- SIH-450
- 仕様・特徴
- 4インチウエーハ8枚、8インチウエーハ2枚導入可能。
6インチターゲット2枚、4インチターゲット1枚が可能。RFとDCスパッタリングが可能。
Al,SiO2,TiN,Taターゲットがあります。その他のターゲット導入も相談に乗ります（在庫がない場合注文から導入まで数ヶ月かかることもありますので相談はお早めに。）
高密度汎用スパッタリング装置 (Sputter )
- 設備ID
- UT-704
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4ES
- 仕様・特徴
- ターゲット超豊富です。サンプルサイズ: 8inch
ターゲットサイズ: 3inch ターゲット種類 : Ag, Al,Al2O3，Al-Nd, Au，AuGeNi, AuZnNi, Cr, Cu, GaN，ITO, IZO, Ni，Pt, SiO2, Si3N4，Ta, TbFeCo, Ti，TiO2，Pd ※, ZAO, Zn, ZnO
LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-711
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2019)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-716と互換。
電子線顕微鏡観察用コーター (Coater for SEM analysis)
- 設備ID
- UT-714
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Gatan (Gatan)
- 型番
- PECS
- 仕様・特徴
- スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積できます
3元マグネトロンスパッタ装置 (3 sources magnetron sputtering)
- 設備ID
- NU-205
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 島津製作所 (SHIMADZU)
- 型番
- HSR-522
- 仕様・特徴
- ・4インチカソード3本
・RF電源500 W 2台
・逆スパッタ機構
・基盤回転
・シャッター開閉機構による多層膜成長可能