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"スパッタリング（スパッタ）"で検索した結果　　58件

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LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)

設備ID: UT-716

設置機関: 東京大学

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)

型番: CFS-4EP-LL　!-Miller (2024)

仕様・特徴: 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx3、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4] (Sputter [CFS-4EP-LL #4])

設備ID: NM-664

設置機関: 物質・材料研究機構 (NIMS)

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス株式会社 (SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION)

型番: CFS-4EP-LL

仕様・特徴: ・電源：DC×２、RF×１
・電源出力：500W（最大）
・カソード：φ3インチ×4式
・基板サイズ：最大8inchφ
・プロセスガス：Ar、O₂、N₂
・基板加熱：設定300℃
・逆スパッタ可

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3] (Sputter [CFS-4EP-LL #3])

設備ID: NM-607

設置機関: 物質・材料研究機構 (NIMS)

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)

型番: CFS-4EP-LL (i-Miller)

仕様・特徴: ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ／バイアススパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ3インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O₂，N₂
・最大試料サイズ：φ8inch（水冷ステージ）
・現有ターゲット：Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO₂（2020年4月時点）

スパッタ装置 [JSP-8000] (Sputter [JSP-8000])

設備ID: NM-608

設置機関: 物質・材料研究機構 (NIMS)

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メーカー名: アルバック (ULVAC)

型番: j-Sputter

仕様・特徴: ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／3元同時／逆スパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ4インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O₂，N₂
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：試料ステージ水冷／加熱可（最大300度）
・現有ターゲット：Al, Ag, Au, Al₂O₃, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si₃N₄, SiO₂, Ta, Ta₂O₅, Ti, TiN, TiO₂, W, Zn, ZnO

芝浦スパッタ装置（加熱型） (Shibaura sputtering (Heating))

設備ID: TU-158

設置機関: 東北大学

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)

型番: CFS-4ESII

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～6インチ
サンプルステージ：直径200mm
基板温度：室温～300℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×3
方式：スパッタSIDE
到達真空度：3E-4Pa

芝浦スパッタ装置（冷却型） (Shibaura sputtering (Cooling))

設備ID: TU-159

設置機関: 東北大学

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)

型番: CFS-4ESII

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～6インチ
サンプルステージ：直径200mm
基板温度：約20℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×3
方式：スパッタSIDE
到達真空度：3E-4Pa

自動搬送芝浦スパッタ装置（加熱型） (Automatic Shibaura sputtering (Heating))

設備ID: TU-160

設置機関: 東北大学

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メーカー名: 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)

型番: !-Miller CFS-4EP-LL

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～8インチ
サンプルステージ：直径220mm
基板温度：室温～300℃
電源：RF×1
ターゲット：3インチ×4
方式：スパッタSIDE
到達真空度：8E-5Pa

ECRロングスロースパッタ (ECR long-throw sputter)

設備ID: TU-162

設置機関: 東北大学

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メーカー名: エリオニクス (Elionix)

型番: EIS-200ERP-NPD-TK

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～6インチ
基板温度：20℃
ターゲット：4インチ× 2
ターゲット‐ステージ間距離：350ｍｍ
到達真空度：3E-4Pa
エッチング可

アネルバマルチスパッタ (Anelva multi-sputtering)

設備ID: TU-163

設置機関: 東北大学

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メーカー名: アネルバ (Anelva)

型番: SPC-350

仕様・特徴: サンプルサイズ、同時処理枚数：4インチ×6枚
基板温度：室温～650℃
電源：DC×2、RF×1（同時放電可能）
ターゲット：6インチ×3（強磁性体対応）

酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 (High-temp. sputtering and O2 annealing)

設備ID: TU-164

設置機関: 東北大学

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メーカー名: ユーテック (Youtec)

型番: 21-0604

仕様・特徴: サンプルサイズ：小片～8インチ
3チャンバ構成：金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバ
基板温度：最高700℃（ランプ加熱方式）

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