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プラズマ誘起CVD装置 (Plasma Enhanced CVD)
- 設備ID
- NU-262
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-220N
- 仕様・特徴
- ・基板加熱：抵抗加熱式 (常用300℃)
・適正ウェハ寸法：最大8インチ径
・供給ガス：TEOS
プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)
- 設備ID
- WS-030
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- PD-220
- 仕様・特徴
- プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ６インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃
SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiO2 PECVD [PD-220NL])
- 設備ID
- NM-633
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/1673319140_10.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiN PECVD [PD-220NL])
- 設備ID
- NM-612
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/NM-612.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・用途：PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
熱CVD (Thermal CVD)
- 設備ID
- TU-152
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 国際電気 (Kokusai Electric)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
基板温度：最高1100℃
住友精密PECVD (Sumitomo PECVD)
- 設備ID
- TU-153
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：最高350℃
住友精密TEOS PECVD (Sumitomo TEOS PECVD)
- 設備ID
- TU-154
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：最高350℃
SPPテクノロジーズ TEOS PECVD (SPP Technologies TEOS PECVD)
- 設備ID
- TU-155
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPPテクノロジーズ (SPP Technologies)
- 型番
- APX-Cetus
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
基板温度：350℃
JPEL PECVD (JPEL PECVD)
- 設備ID
- TU-156
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本生産技術研究所 (JPEL)
- 型番
- VDS-5600
- 仕様・特徴
- 同時処理枚数：4インチ×13枚、または6インチ×8枚