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原子層堆積装置 [AD-230LP] (ALD [AD-230LP])
- 設備ID
- NM-611
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層堆積装置 [AD-230LP]](data/facility_item/NM-611.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- ・用途：多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式：サーマルまたはプラズマALD
・原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤：H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤：N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ：最大φ8インチ
・その他：ロードロック式
多元材料原子層堆積(ALD)装置 (ALD)
- 設備ID
- TU-169
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- テクノファイン (Technofine)
- 型番
- ALK-600
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
- 設備ID
- NU-232
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LE
- 仕様・特徴
- ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ：212 mmΦ
・加熱温度：最大500℃
・ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2
原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)
- 設備ID
- HK-616
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2、TiO2、Al2O3他（原料持ち込み可）
試料サイズ：最大6インチ
原子層堆積装置（粉末対応型） (Atomic Layer Depositon system (Powder))
- 設備ID
- HK-617
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 仕様・特徴
- 成膜材料：TiO2、Al2O3
試料サイズ：最大8インチ、粉末試料（1g～15g)
プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)
- 設備ID
- HK-618
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- 成膜材料：Al2O3他
試料サイズ：最大8インチ
原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-031
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![原子層堆積装置_1[FlexAL]](data/facility_item/AT-031.jpg)
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:8インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3
・材料ポート:8ポート
・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] (Atomic Layer Deposition_2〔AD-100LP〕)
- 設備ID
- AT-099
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]](data/facility_item/AT-099.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LP
- 仕様・特徴
- ・型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
・試料サイズ:4インチ（2インチは3枚まで搭載可能）
・ステージ温度：50 ～ 500℃
・放電方式: 誘導結合式ICPプラズマ（ダウンフロー型、リモート型）
・ICP高周波電源: 300W（13.56MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・キャリアガス:N2
・反応ガス:H2O, O2、ピュアオゾン, N2、NH3、H2、Ar
・材料ガス:TMA,BDEAS
原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-102
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
原子層堆積装置_3付帯ＸＰＳ装置（アルバック・ファイ） (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))
- 設備ID
- AT-103
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI,)
- 型番
- Quantera II
- 仕様・特徴
- ・型式:Quantera II
・試料サイズ:4インチφ
・X線源:単色化Al kα(ローランド直径 200 mm)
・光電子分光器:静電半球型(軌道直径279.4 mm)
・検出器:マルチチャネル検出器 (32 ch)
・スペクトル分析:0～1467 eV
・イメージング:最小ビーム径7.5μm, 最大走査範囲1.4 mmx1.4 mmのSXIイメージング
・最小スペクトル分析面積:7.5μmφ (20% - 80% knife edge法)
・エネルギ分解能:0.48 eV（Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅）
・帯電中和:10 eV以下電子と5～10 eV Arイオン同時照射
・光電子取り出し角度:45°(標準)