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触針式プロファイラー [Dektak XT-A] (Surface Profilometer [Dektak XT-A])

設備ID
NM-626
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
触針式プロファイラー [Dektak XT-A]
メーカー名
ブルカージャパン (Bruker)
型番
Dektak XT-A
仕様・特徴
・用途:段差測定
・分解能:1Å(6.5umレンジ)
・走査距離:55mm
・触圧範囲:0.03-15mg
・最大試料サイズ:φ8inch
・ その他:自動ステージ、3Dマッピング、粗さ測定、ストレス測定

ウェハゴミ検査装置 (Wafer dust counter)

設備ID
TU-301
設置機関
東北大学
設備画像
ウェハゴミ検査装置
メーカー名
トプコン (Topcon)
型番
WM-3
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
カセットtoカセット

膜厚計 (Film thickness measurement)

設備ID
TU-302
設置機関
東北大学
設備画像
膜厚計
メーカー名
ナノメトリクス (Nanometrics)
型番
NanoSpec3000
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

卓上型エリプソ (Desktop Ellipsometer)

設備ID
TU-303
設置機関
東北大学
設備画像
卓上型エリプソ
メーカー名
フォトニックラティス (Photonic lattice)
型番
SE-101
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

エリプソ (Ellipsometer)

設備ID
TU-304
設置機関
東北大学
設備画像
エリプソ
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
-
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

Dektak 段差計 (Dektak surface profiler)

設備ID
TU-305
設置機関
東北大学
設備画像
Dektak 段差計
メーカー名
Dektak (Dektak)
型番
8
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

Tencor 段差計 (Tencor profiler)

設備ID
TU-306
設置機関
東北大学
設備画像
Tencor 段差計
メーカー名
Tencor (Tencor)
型番
AlphaStep
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

分光エリプソメータ (M-2000DI-T)

設備ID
UT-303
設置機関
東京大学
設備画像
分光エリプソメータ
メーカー名
ジェー・エー・ウーラム・ジャパン (J.A.Woollam)
型番
M-2000U
仕様・特徴
□ 主な仕様
・測定波長:193~1690nm
・チャンネル数:690同時計測
・回転補償子型

形状・膜厚・電気特性評価装置群 (Series of analysis equipments, visual, thickness, and electrical/mechanical characteristic.)

設備ID
UT-850
設置機関
東京大学
設備画像
形状・膜厚・電気特性評価装置群
メーカー名
・キーエンス ・ブルカー ・東朋テクノロジー ・ズースマイクロテック ・日本分光 ・オリンパス ・エビデント(旧オリンパス) ・キーエンス (・Keyence ・BRUKER ・Toho Technology ・SUSS MicroTec ・JASCO ・Olympus ・EVIDENT (Ex.Olympus) ・Keyence)
型番
・VHX-6000 ・DektakXT ・Tohospec3100 ・Suss8”プローバ ・M-550 ・LEXT OLS5000 ・STM-7 ・VK-X1100(404nm)
仕様・特徴
枝番1:顕微鏡
枝番2:触針段差計
枝番3:光干渉式膜厚測定装置
枝番4:Suss8”プローバ,針を当てて電気的特性を測定する装置。8インチ対応。
枝番5:分光エリプソメータ―
枝番6:レーザー顕微鏡
枝番7:光学顕微鏡(200mmステージ、静止画撮影)
枝番8:共焦点型レーザー顕微鏡。一般居室にあるため、クリーンルームに持ち込み不可なサンプルも計測可能。

動的光散乱(DLS) (Dynamic Light Scattering Analyzer (DLS))

設備ID
NU-013
設置機関
名古屋大学
設備画像
動的光散乱(DLS)
メーカー名
Malvern社 (Malvern)
型番
Zetasizer Nano ZS
仕様・特徴
・粒径分布、ゼータポテンシャル、分子量測定
・測定可能粒径:0.6nm-6μm、ゼータ電位:5nm-10μm
・分子量:1000-2×107Da
・試料濃度:<10nm : 0.5g/l、10nm-100nm : 0.1mg/l、100nm-1μm : 0.01g/l、>1μm : 0.1g/l
・ゼータ電位:-200~200mV
・光学系:レーザードップラー法
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