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エリプソメーター (Ellipsometer)

設備ID
TT-016
設置機関
豊田工業大学
設備画像
エリプソメーター
メーカー名
ガ-トナ- (Gartner Sci. Corp.)
型番
LSE
仕様・特徴
・シリコン酸化膜あるいはSiN膜等の単層あるいは2層膜の膜厚測定
・φ6インチ以下基板

分光エリプソメーター (Spectroscopic Ellipsometer)

設備ID
NR-702
設置機関
奈良先端科学技術大学院大学 (NAIST)
設備画像
分光エリプソメーター
メーカー名
堀場ージョバンイボン (HORIBA JOBIN YVON)
型番
UVISEL ER AGMS-NSD
仕様・特徴
・波長範囲: 0.6 eV 〜 6.0 eV(206 nm 〜2066 nm )
・スポット径: 約 5 mm * 2 mm

分光エリプソメーター (Spectroscopic ellipsometer)

設備ID
RO-531
設置機関
広島大学
設備画像
分光エリプソメーター
メーカー名
J.A. Woollam Japan (J.A. Woollam Japan)
型番
M2000-D
仕様・特徴
測定可能最小膜厚10nm,分光波長範囲193~1000nm、

エリプソメータ (Film thickness measuring system)

設備ID
GA-012
設置機関
香川大学
設備画像
エリプソメータ
メーカー名
溝尻光学 (Mizojiri-opt)
型番
DHA-XA/M8
仕様・特徴
膜厚と屈折率を測定可能
処理物:~12インチウェハ 光源波長:632.8nm(He-Neレーザー)
入射角:55°~75°,90°
入射角設定単位:0.01°
最小分解能:1Å
分布計測分解能:0.01mm

分光エリプソメーター [M2000] (Spectroscopic Ellipsometer [M2000])

設備ID
NM-655
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
分光エリプソメーター [M2000]
メーカー名
ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社 (J.A.Woollam Co., Inc.)
型番
M2000
仕様・特徴
・波長範囲:250 ~ 1000 nm
・補償子:回転式
・入射角:自動制御、45~90°
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