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デュアルビーム微細加工電子顕微鏡 (Dual beam FIB-SEM)

設備ID
KU-012
設置機関
九州大学
設備画像
デュアルビーム微細加工電子顕微鏡
メーカー名
サーモフィッシャーサイエンテ ィフィック (Thermo Fisher Scientific)
型番
Versa3D DualBeam
仕様・特徴
観察+FIB加工、マイクロサンプリング

キセノンプラズマ集束イオンビーム加工・走査電子顕微鏡複合機 (Analytical plasma FIB-SEM)

設備ID
KU-013
設置機関
九州大学
設備画像
キセノンプラズマ集束イオンビーム加工・走査電子顕微鏡複合機
メーカー名
サーモフィッシャーサイエンテ ィフィック (Thermo Fisher Scientific)
型番
Helios 5 Hydra DualBeam
仕様・特徴
イオン源4種(Xe, Ar, O, N)、SIMS分析

Arイオン研磨装置群 (Sample milling / polishing facilities)

設備ID
KU-014
設置機関
九州大学
設備画像
Arイオン研磨装置群
メーカー名
Gatan、Fischione、日本電子 (Gatan、Fischione、JEOL)
型番
Gatan PIPSⅡ M 695、Fischione NanoMill Model1040、JEOL ION SLICER EM-09100IS
仕様・特徴
電子顕微鏡試料の調製

集束イオンビーム加工装置 (FIB)

設備ID
HK-105
設置機関
北海道大学
設備画像
集束イオンビーム加工装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9320FIB
仕様・特徴
・イオン加速電圧:5 ~ 30 kV
・倍率:150(50)~300,000
・真空系:ターボ分子ポンプ(TMP)、ロータリーポンプ(RP)
・チップオンホルダー
・バルクホルダー
・ピックアップ装置
・遠隔観察装置

集束イオンビーム加工・観察装置 (Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system(FIB-SEM))

設備ID
HK-304
設置機関
北海道大学
設備画像
集束イオンビーム加工・観察装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4600F/HKD
仕様・特徴
加速電圧:1~30kV
分析機能:EDS、EBSD、3D観察
像分解能:5nm(30kV)

集束イオンビーム加工装置 (Focused Ion Beam system)

設備ID
HK-403
設置機関
北海道大学
設備画像
集束イオンビーム加工装置
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
FB-2100
仕様・特徴
イオン加速電圧:5 ~ 30 kV
サイドエントリーステージ
バルクステージ
マイクロサンプリング機能

精密イオン研磨装置 ( Precision ion polishing system)

設備ID
HK-407
設置機関
北海道大学
設備画像
精密イオン研磨装置
メーカー名
ガタン (Gatan)
型番
PIPSII
仕様・特徴
イオン加速電圧:1 ~ 6 kV
イオン入射角:最大±10°
液体窒素冷却装置
TVカメラ

ミクロトーム/クライオミクロトーム (Microtome/Cryo-microtome)

設備ID
CT-013
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
ミクロトーム/クライオミクロトーム
メーカー名
ライカ マイクロシステムズ (Leica Microsystems)
型番
ULTRACUT UCT
仕様・特徴
・クライオスタット付きのため凍結状態での薄切可能

断面試料作製装置(クロスセクションポリッシャ) (Specimen preparation equipment (CROSS SECTION POLISHER))

設備ID
CT-014
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
断面試料作製装置(クロスセクションポリッシャ)
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
IB-09010CP
仕様・特徴
・イオン加速電圧:2~6 kV
・イオンビーム径:500 μm
・ミリングスピード:100 μm/h
・最大搭載試料サイズ:11 mm(幅) x 10 mm(長さ) x 2 mm(厚さ)
・使用ガス:アルゴンガス

FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)

設備ID
BA-003
設置機関
筑波大学
設備画像
FIB-SEM
メーカー名
FEI (FEI)
型番
Helios NanoLab 600i
仕様・特徴
電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧:1-30kV(電子ビーム)
0.5-30kV(Gaイオンビーム)
デポジション用ガス:C,Ptガス
分析機能:EDS
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