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電顕試料用研磨機 (Grinder for TEM specimen preparation)

設備ID
TU-509
設置機関
東北大学
設備画像
電顕試料用研磨機
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
handy lap HLA-2
仕様・特徴
・精密平行研磨可能

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-510
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
ガタン社 (Gatan Inc.)
型番
PIPSⅡ
仕様・特徴
低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-511
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
ガタン社 (Gatan Inc.)
型番
PIPSⅡ
仕様・特徴
低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-512
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
フィッショーネ・インスツルメンツ社 (Fischone Instruments, Inc.)
型番
model 1010
仕様・特徴
ダブルイオン銃方式
照射角度 -10°~+10°
ミリング角調整機能

ウルトラミクロトーム装置 (Ultramicrotome)

設備ID
TU-513
設置機関
東北大学
設備画像
ウルトラミクロトーム装置
メーカー名
ライカ社 (Leica Reichert)
型番
Ultracut S
仕様・特徴
試料厚さ:1~15μm

薄膜断面試料作製装置 (Ion Slicer)

設備ID
TU-518
設置機関
東北大学
設備画像
薄膜断面試料作製装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
EM-09100IS
仕様・特徴
・イオン加速電圧 1~8 kV
・イオン照射角度 0~6°

ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)

設備ID
TU-519
設置機関
東北大学
設備画像
ジェントルミリング装置
メーカー名
日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
型番
Gentle Mill 3
仕様・特徴
・ビームカレント 5 ~ 80 μA
・イオン照射角度 0~6°

CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム (Preprocessing system for device evaluation that integrates 3D functions linked with CAD data)

設備ID
UT-152
設置機関
東京大学
設備画像
CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
XVision200TB
仕様・特徴
□ 主な特徴
・デバイス評価用前処理システム
・透過電子顕微鏡用薄膜試料作製にも対応
□ 主な仕様
・ FIB分解能:4nm@30kV、最大電流45nA
・ SEM分解能:3nm@5kV、加速電圧1~30kV
・ 最大8インチステージ
・ Arビーム照射
・ W,C,絶縁膜デポ XeF,有機系エッチングガス
・ CADデータオーバレイ表示
・ レーザー顕微鏡と共通の座標系

クロスセクションポリッシャー(CP) (Cross Section Polisher)

設備ID
UT-153
設置機関
東京大学
設備画像
クロスセクションポリッシャー(CP)
メーカー名
日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
型番
JEOL SM-090010JEOL SM-090020
仕様・特徴
□ 主な特徴
表面に対して垂直な断面が制作可能。
□ 主な仕様
イオン加速電圧:2 ~ 6 kV
イオンビーム径半値幅:500 μm(加速電圧:6kV, 試料:Si)
ミリングスピード:1.3 μm/min以上(加速電圧:6kV, 試料:Si)
最大搭載試料サイズ:11mm×9mm×2mm
試料移動範囲:X軸±3mm Y軸:±3mm
試料角度調節範囲:±5°
使用ガス:アルゴンガス

イオンスライサー (Ion slicer)

設備ID
UT-154
設置機関
東京大学
設備画像
イオンスライサー
メーカー名
日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
型番
EM09100IS
仕様・特徴
□ 主な仕様
・イオン加速電圧:1~8 kV
・傾斜角:最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス:アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製
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