共用設備検索結果
電顕試料用研磨機 (Grinder for TEM specimen preparation)
- 設備ID
- TU-509
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![電顕試料用研磨機](data/facility_item/1651468822_14.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- handy lap HLA-2
- 仕様・特徴
- ・精密平行研磨可能
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-510
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![イオンミリング装置](data/facility_item/1651468857_14.jpg)
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-511
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![イオンミリング装置](data/facility_item/1651468888_14.jpg)
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-512
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![イオンミリング装置](data/facility_item/1651468917_14.jpg)
- メーカー名
- フィッショーネ・インスツルメンツ社 (Fischone Instruments, Inc.)
- 型番
- model 1010
- 仕様・特徴
- ダブルイオン銃方式
照射角度 -10°~+10°
ミリング角調整機能
ウルトラミクロトーム装置 (Ultramicrotome)
- 設備ID
- TU-513
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![ウルトラミクロトーム装置](data/facility_item/1651468941_14.jpg)
- メーカー名
- ライカ社 (Leica Reichert)
- 型番
- Ultracut S
- 仕様・特徴
- 試料厚さ:1~15μm
薄膜断面試料作製装置 (Ion Slicer)
- 設備ID
- TU-518
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![薄膜断面試料作製装置](data/facility_item/1651469034_14.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- EM-09100IS
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧 1~8 kV
・イオン照射角度 0~6°
ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)
- 設備ID
- TU-519
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
![ジェントルミリング装置](data/facility_item/1651469062_14.jpg)
- メーカー名
- 日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
- 型番
- Gentle Mill 3
- 仕様・特徴
- ・ビームカレント 5 ~ 80 μA
・イオン照射角度 0~6°
CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム (Preprocessing system for device evaluation that integrates 3D functions linked with CAD data)
- 設備ID
- UT-152
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
![CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム](data/facility_item/1651455505_14.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- XVision200TB
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
・デバイス評価用前処理システム
・透過電子顕微鏡用薄膜試料作製にも対応
□ 主な仕様
・ FIB分解能:4nm@30kV、最大電流45nA
・ SEM分解能:3nm@5kV、加速電圧1~30kV
・ 最大8インチステージ
・ Arビーム照射
・ W,C,絶縁膜デポ XeF,有機系エッチングガス
・ CADデータオーバレイ表示
・ レーザー顕微鏡と共通の座標系
クロスセクションポリッシャー(CP) (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- UT-153
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
![クロスセクションポリッシャー(CP)](data/facility_item/1651455543_14.jpg)
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEOL SM-090010JEOL SM-090020
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
表面に対して垂直な断面が制作可能。
□ 主な仕様
イオン加速電圧:2 ~ 6 kV
イオンビーム径半値幅:500 μm(加速電圧:6kV, 試料:Si)
ミリングスピード:1.3 μm/min以上(加速電圧:6kV, 試料:Si)
最大搭載試料サイズ:11mm×9mm×2mm
試料移動範囲:X軸±3mm Y軸:±3mm
試料角度調節範囲:±5°
使用ガス:アルゴンガス
イオンスライサー (Ion slicer)
- 設備ID
- UT-154
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
![イオンスライサー](data/facility_item/1651455598_14.jpg)
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- EM09100IS
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・イオン加速電圧:1~8 kV
・傾斜角:最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス:アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製