共用設備検索結果
大気非暴露対応冷却クロスセクションポリッシャ (Cooling cross section polisher for non-exposure to atmosphere)
- 設備ID
- UT-158
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- IB-19520CCP
- 仕様・特徴
- イオン加速電圧 2～8kV
ミリングスピード 500μm/h以上 (加速電圧8kV)
試料スイング機能±30°自動スイング
自動加工開始モード 〇
自動冷却加工開始モード /
自動室温復帰モード 〇
試料ステージ冷却到達温度 －120°C以下
冷却温度設定範囲 －120～0°C
試料冷却－100°C到達時間 60分以内
試料冷却保持時間 8時間以上
TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)
- 設備ID
- UT-157
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- gatan (gatan)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
より試料を取り外すことなく既設装置である
イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
ミリングアングル -10°～+10° 調整可能
イオンエネルギー 100 eV ～8 keV
イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
試料回転 1～6 rpm まで可変
X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
デュアーの保持時間 約6～7時間
ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C)
ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
温度領域 -120°C～室温
試料冷却 -120°Cまで可能
FIB/SEM精密微細加工装置（Helios 650） (FIB/SEM microfabrication instrument)
- 設備ID
- NM-517
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本エフイー・アイ株式会社 (FEI Company Japan Ltd.)
- 型番
- Helios 650
- 仕様・特徴
- 1. SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA
3. E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム
【特徴】
1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト（マイクロサンプリング)可能
クライオイオンスライサ― (CRYO ION SLICER)
- 設備ID
- KT-409
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- IB-09060CIS
- 仕様・特徴
- 1.アルゴンビーム薄片化装置（電圧1～8kV）
2.試料傾斜角最大±6度
3.クライオステージ（-120℃）
デュアルビーム走査電子顕微鏡 (Dual Beam FIB-SEM)
- 設備ID
- KT-408
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4700F
- 仕様・特徴
- 1.SEM装置(0.1～30kV)
2.FIB装置(1～30kV)
3.EDS検出器
4.EBSD検出器
5.クライオステージ
6.WとCのガス吹付装置
集束イオンビーム加工観察装置（FIB） (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
微細組織3次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)
- 設備ID
- NM-302
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SMF-1000
- 仕様・特徴
- 最高1nmピッチで制御可能で，加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能．更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能．
・SEM：ZEISS Gemini
・EDS：EDAX
・EBSD：EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas：Carbon
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)
- 設備ID
- NM-403
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- NX5000
- 仕様・特徴
- ・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5－30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1－30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム：加速電圧0.5－2kV、最大ビーム電流20nA
無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 (Damage-less TEM specimen milling apparatus)
- 設備ID
- NM-404
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- フィッシオーネ (Fischione)
- 型番
- Model 1040 Nanomill
- 仕様・特徴
- ・イオン：アルゴン
・イオンエネルギー：50～2000eV 可変
・イオン電流：1mA/cm2
・イオンビームサイズ：2μm
セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)
- 設備ID
- NM-407
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン日立ハイテク真空デバイスマルトーTECHNOORG-LINDA (GatanHitachi High-TechVacuum DeviceMarutoTECHNOORG-LINDA)
- 型番
- 695PIPS II（精密イオン研磨装置）656 DimpleGrinder（ディンプルグラインダ）TM4000Plus II（卓上SEM）VES-30T（マルチコーター）ML-180 DoctorLap（卓上研磨機）MS2 MICROSAW（小型精密切断器）
- 仕様・特徴
- ・精密イオン研磨装置：イオンビームエネルギー: 0.1～8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属
・ディンプルグラインダ：研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0～40 g、自動停止機構付属
・卓上SEM：加速電圧：5－20kV、二次電子検出器および反射電子検出器
・マルチコーター：蒸着、イオンスパッタ、親水化処理
・卓上研磨機：研磨回転数 50～500 rpm
・小型精密切断器：50mmダイヤモンド回転刃