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TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)

設備ID
UT-157
設置機関
東京大学
設備画像
TEM用ハイスループットイオン研磨システム
メーカー名
gatan (gatan)
型番
PIPSⅡ
仕様・特徴
【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
    より試料を取り外すことなく既設装置である
    イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
 ミリングアングル -10°~+10° 調整可能
 イオンエネルギー 100 eV ~8 keV
 イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
 試料回転 1~6 rpm まで可変
 X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
 デュアーの保持時間 約6~7時間
 ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C~+25°C)
 ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
 温度領域 -120°C~室温
 試料冷却 -120°Cまで可能

クライオイオンスライサ― (CRYO ION SLICER)

設備ID
KT-409
設置機関
京都大学
設備画像
クライオイオンスライサ―
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
IB-09060CIS
仕様・特徴
1.アルゴンビーム薄片化装置(電圧1~8kV)
2.試料傾斜角最大±6度
3.クライオステージ(-120℃)

無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 (Damage-less TEM specimen milling apparatus)

設備ID
NM-404
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置
メーカー名
フィッシオーネ (Fischione)
型番
Model 1040 Nanomill
仕様・特徴
・イオン:アルゴン
・イオンエネルギー:50~2000eV 可変
・イオン電流:1mA/cm2
・イオンビームサイズ:2μm

セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)

設備ID
NM-407
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
セラミックス試料作製装置群
メーカー名
ガタン日立ハイテク真空デバイスマルトーTECHNOORG-LINDA (GatanHitachi High-TechVacuum DeviceMarutoTECHNOORG-LINDA)
型番
695PIPS II(精密イオン研磨装置)656 DimpleGrinder(ディンプルグラインダ)TM4000Plus II(卓上SEM)VES-30T(マルチコーター)ML-180 DoctorLap(卓上研磨機)MS2 MICROSAW(小型精密切断器)
仕様・特徴
・精密イオン研磨装置:イオンビームエネルギー: 0.1~8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属

・ディンプルグラインダ:研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0~40 g、自動停止機構付属

・卓上SEM:加速電圧:5-20kV、二次電子検出器および反射電子検出器

・マルチコーター:蒸着、イオンスパッタ、親水化処理

・卓上研磨機:研磨回転数 50~500 rpm

・小型精密切断器:50mmダイヤモンド回転刃

TEM試料作製装置群 (TEM sample preparation apparatus)

設備ID
NM-516
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
TEM試料作製装置群
メーカー名
Gatan 日本電子 BEUHLER Allied 日本レーザー電子 真空デバイス (Gatan JEOL BEUHLER Allied Nippon Laser & Electronics Vacuum Device)
型番
Dimple Grinder(Model 656) PIPS II(Model 695) PIPS(Model 691) Ion Slicer(EM-09100IS) ISOMET Multiprep Carbon coater(JEC-560) Platinum coater(JFC-1600) Au coater(JFC-1500) Osmium coater(NL-OPC80A) Osmium coater(HPC-1SW) PECS(Model 682) Disc Cutter(Model 601) DII-29020HD
仕様・特徴
Dimple Grinder(Model 656)
・初期試料厚さ: 200 µm以下
・自動停止機構付き
PIPS II(Model 695)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
PIPS(Model 691)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
Ion Slicer(EM-09100IS)
・加速電圧: 1~8 kV
ISOMET
・4インチダイヤモンド切断砥石
Multiprep
・試料傾斜角度: 0~10°
・精密マイクロメーター付き
PECS(Model 682)
・コーディング材料:カーボン, クロム, 金パラジウム, コバルト
Disc Cutter(Model 601)
・金属試料の3mmディスク切り出し
TEMグリッド等の親水化処理

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-510
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
ガタン社 (Gatan Inc.)
型番
PIPSⅡ
仕様・特徴
低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-511
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
ガタン社 (Gatan Inc.)
型番
PIPSⅡ
仕様・特徴
低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°~+10° 調整可能
100eV ~8keV

イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)

設備ID
TU-512
設置機関
東北大学
設備画像
イオンミリング装置
メーカー名
フィッショーネ・インスツルメンツ社 (Fischone Instruments, Inc.)
型番
model 1010
仕様・特徴
ダブルイオン銃方式
照射角度 -10°~+10°
ミリング角調整機能

ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)

設備ID
TU-519
設置機関
東北大学
設備画像
ジェントルミリング装置
メーカー名
日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
型番
Gentle Mill 3
仕様・特徴
・ビームカレント 5 ~ 80 μA
・イオン照射角度 0~6°

イオンスライサー (Ion slicer)

設備ID
UT-154
設置機関
東京大学
設備画像
イオンスライサー
メーカー名
日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
型番
EM09100IS
仕様・特徴
□ 主な仕様
・イオン加速電圧:1~8 kV
・傾斜角:最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス:アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製
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