共用設備検索結果
デュアルビーム微細加工電子顕微鏡 (Dual beam FIB-SEM)
- 設備ID
- KU-012
- 設置機関
- 九州大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンテ ィフィック (Thermo Fisher Scientific)
- 型番
- Versa3D DualBeam
- 仕様・特徴
- 観察+FIB加工、マイクロサンプリング
キセノンプラズマ集束イオンビーム加工・走査電子顕微鏡複合機 (Analytical plasma FIB-SEM)
- 設備ID
- KU-013
- 設置機関
- 九州大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンテ ィフィック (Thermo Fisher Scientific)
- 型番
- Helios 5 Hydra DualBeam
- 仕様・特徴
- イオン源4種(Xe, Ar, O, N)、SIMS分析
集束イオンビーム加工装置 (FIB)
- 設備ID
- HK-105
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧：5 ～ 30 kV
・倍率：150（50）～300,000
・真空系：ターボ分子ポンプ（TMP）、ロータリーポンプ（RP）
・チップオンホルダー
・バルクホルダー
・ピックアップ装置
・遠隔観察装置
集束イオンビーム加工・観察装置 (Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system(FIB-SEM))
- 設備ID
- HK-304
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4600F/HKD
- 仕様・特徴
- 加速電圧：1～30kV
分析機能：EDS、EBSD、3D観察
像分解能：5nm（30kV）
集束イオンビーム加工装置 (Focused Ion Beam system)
- 設備ID
- HK-403
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- FB-2100
- 仕様・特徴
- イオン加速電圧：5 ～ 30 kV
サイドエントリーステージ
バルクステージ
マイクロサンプリング機能
FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- BA-003
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- Helios NanoLab 600i
- 仕様・特徴
- 電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧：1-30kV（電子ビーム）
0.5-30kV（Gaイオンビーム）
デポジション用ガス：C,Ptガス
分析機能：EDS
集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (Focused Ion Beam System（FIB）)
- 設備ID
- AT-034
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- FB-2100
- 仕様・特徴
- ・型式:FB-2100
・試料サイズ: 18mmφ以下, 高さ10mm以下
・イオン源:ガリウム液体金属イオン源
・加速電圧:2kV, 5kV, 10kV～40 kV （低加速電圧対応）
・像分解能:6 nm （SIM）
・ビーム径:3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
・イオンビーム電流:0.1nA～68nA （大電流対応）
・デポジションガス:タングステンカルボニル
・マニュピレータシステム:シングルプローブ
・試料ステージ制御:5軸チルトステージ
・ステージ傾斜角度:最大45°
集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)
- 設備ID
- WS-010
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- NB-5000
- 仕様・特徴
- FIB加工中の同時SEM観察可能
～80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能（EDAX）
・ シリコンドリフトディテクター （SDD検出器）
・ エネルギー分解能： 133eV以下
・ 検出元素：B～U
・ 定性分析／定量分析／マッピング機能搭載
STEM機能付き（薄膜化した後の高精度観察が可能）
FIB-SEMデュアルビーム加工観察装置 (FIB-SEM Dual Beam System)
- 設備ID
- IT-023
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4501
- 仕様・特徴
- FIB部分 Ga 液体金属イオン源、加速電圧 1-30kV,ビーム電流最大60nA以上 SEM部分 加速電圧0.3-30kV 分解能 3nm以下
電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB)
- 設備ID
- JI-016
- 設置機関
- 北陸先端科学技術大学院大学（JAIST）
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science)
- 型番
- MR-GFIS
- 仕様・特徴
- N2イオンビームによる低汚染のFIB加工
最少加工幅：約10nm