共用設備検索結果
FIB/SEM精密微細加工装置（Helios 650） (FIB/SEM microfabrication instrument)
- 設備ID
- NM-517
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本エフイー・アイ株式会社 (FEI Company Japan Ltd.)
- 型番
- Helios 650
- 仕様・特徴
- 1. SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA
3. E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム
【特徴】
1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト（マイクロサンプリング)可能
デュアルビーム走査電子顕微鏡 (Dual Beam FIB-SEM)
- 設備ID
- KT-408
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4700F
- 仕様・特徴
- 1.SEM装置(0.1～30kV)
2.FIB装置(1～30kV)
3.EDS検出器
4.EBSD検出器
5.クライオステージ
6.WとCのガス吹付装置
集束イオンビーム加工観察装置（FIB） (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
微細組織3次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)
- 設備ID
- NM-302
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SMF-1000
- 仕様・特徴
- 最高1nmピッチで制御可能で，加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能．更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能．
・SEM：ZEISS Gemini
・EDS：EDAX
・EBSD：EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas：Carbon
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)
- 設備ID
- NM-403
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- NX5000
- 仕様・特徴
- ・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5－30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1－30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム：加速電圧0.5－2kV、最大ビーム電流20nA
デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)
- 設備ID
- NM-509
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
- 型番
- NB5000
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM：加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属：マイクロサンプリング、STEM, EDS
FIB加工装置（JIB-4000） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-510
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4000
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能：5nm (@30kV)
FIB加工装置（JEM-9320FIB） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-511
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能：6nm (@30kV)
FIB加工装置（JEM-9310FIB） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-512
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9310FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧5~30 kV、最大電流10nA
・分解能：8nm (@30kV)
ピックアップシステム (Pick-up System)
- 設備ID
- NM-513
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- ・大気中（FIB外）でガラスプローブを使ってTEMグリッド上へ固定