共用設備検索結果
FIB/SEM精密微細加工装置(Helios 650) (FIB/SEM microfabrication instrument)
- 設備ID
- NM-517
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![FIB/SEM精密微細加工装置(Helios 650)](data/facility_item/1710756687_11.jpg)
- メーカー名
- 日本エフイー・アイ株式会社 (FEI Company Japan Ltd.)
- 型番
- Helios 650
- 仕様・特徴
- 1. SIM像分解能5nm(@30kV)、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm(@1kV)、最大電流26nA
3. E-beam: 350V~30 kV、I-Beam: : 500V~30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°~+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム
【特徴】
1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト(マイクロサンプリング)可能
デュアルビーム走査電子顕微鏡 (Dual Beam FIB-SEM)
- 設備ID
- KT-408
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
![デュアルビーム走査電子顕微鏡](data/facility_item/1702632731_11.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4700F
- 仕様・特徴
- 1.SEM装置(0.1~30kV)
2.FIB装置(1~30kV)
3.EDS検出器
4.EBSD検出器
5.クライオステージ
6.WとCのガス吹付装置
集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
![集束イオンビーム加工観察装置(FIB)](data/facility_item/1701319720_11.jpg)
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能(BF,HAADF)
□ 主な仕様
FIB(収束イオンビーム)
・ イオン源:Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧:0.5~30kV
・ 倍率:×50~×300,000
・ イオンビーム加工形状:矩形、ライン、スポット
SEM(電子ビーム)
・ 加速電圧:0.01~30kV
・ 倍率:×20~×1,000,000
・ 像分解能:0.7nm(加速電圧15kV)、1.0nm(加速電圧1kV)
微細組織3次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)
- 設備ID
- NM-302
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![微細組織3次元マルチスケール解析装置](data/facility_item/NM-302.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SMF-1000
- 仕様・特徴
- 最高1nmピッチで制御可能で,加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能.更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能.
・SEM:ZEISS Gemini
・EDS:EDAX
・EBSD:EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas:Carbon
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)
- 設備ID
- NM-403
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置](data/facility_item/1664506191_10.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- NX5000
- 仕様・特徴
- ・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5-30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1-30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム:加速電圧0.5-2kV、最大ビーム電流20nA
デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)
- 設備ID
- NM-509
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![デュアルビーム加工観察装置](data/facility_item/NM-509.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
- 型番
- NB5000
- 仕様・特徴
- ・FIB:加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM:加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属:マイクロサンプリング、STEM, EDS
FIB加工装置(JIB-4000) (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-510
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![FIB加工装置(JIB-4000)](data/facility_item/NM-510.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4000
- 仕様・特徴
- ・FIB:加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能:5nm (@30kV)
FIB加工装置(JEM-9320FIB) (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-511
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![FIB加工装置(JEM-9320FIB)](data/facility_item/NM-511.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能:6nm (@30kV)
FIB加工装置(JEM-9310FIB) (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-512
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![FIB加工装置(JEM-9310FIB)](data/facility_item/NM-512.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9310FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流10nA
・分解能:8nm (@30kV)
ピックアップシステム (Pick-up System)
- 設備ID
- NM-513
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ピックアップシステム](data/facility_item/NM-513.jpg)
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- ・大気中(FIB外)でガラスプローブを使ってTEMグリッド上へ固定