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共用設備検索結果
"走査型電子顕微鏡"で検索した結果 81件
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- 設備ID
- BA-008
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8020
- 仕様・特徴
- 二次電子分解能;1.0nm(加速電圧15kV,WD=4mm) 1.3nm(照射電圧1kV,WD=1.5mm)
照射電圧;0.1~30kV
低倍率モード;20~2,000倍(写真倍率)
高倍率モード;100~800,000倍(写真倍率)
SE/BSE信号可変方式
- 設備ID
- AT-004
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S4800
- 仕様・特徴
- ・型式:S-4800
・試料サイズ:15~150 mmφ
・電子銃:冷陰極電界放出型電子銃
・加速電圧:0.5~30 kV
・分解能:1.0 nm(加速電圧15 kV, WD = 4 mm)
・試料ステージ制御:5軸モーター制御
・可動範囲:X,Y:0~110 mm、Z:1.5~40 mm、R:360°、T:-5~70°
・検出器:2次電子検出器、エネルギー分散型X線検出器(EDX)
- 設備ID
- AT-005
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S-3500N
- 仕様・特徴
- ・型式:S-3500N(日立ハイテク)
・試料サイズ:15~150 mmφ
・電子銃:熱電子放出型Wヘアピンフィラメント
・加速電圧:0.3~30 kV
・分解能:高真空二次電子像:3.0 nm
・低真空反射電子像:5 nm
・低真空モードでの真空度設定:1~270 Pa
・試料ステージ:五軸モーター駆動
・可動範囲:100 mm×50 mm
・元素分析:エネルギー分散型X線検出器(EDX)
- 設備ID
- AT-107
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ERA-9200
- 仕様・特徴
- ・型式:ERA-9200
・試料サイズ:4インチφ, 16mmt
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:1~30 kV
・リタ―ディング電圧:3kV
・分解能:0.4nm以下(30kV)、0.5nm以下(15kV)、0.7nm以下(1kV)
・可動範囲:30×50mm(X-Y)、1~30mm(Z)、-5~45°(Tilt)
・検出器:2次電子検出器(4本)
- 設備ID
- AT-506
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ・検出器:産総研自主開発 ・顕微鏡:JEOL (・Detector: AIST Original ・SEM: JEOL)
- 型番
- ・検出器:産総研自主開発 ・顕微鏡:JSM-IT800SHLs
- 仕様・特徴
- 高感度、高分解能の超伝導検出器を搭載した、蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡。
電子線で試料上を走査する際に放出される蛍光X線を測定することにより、主に軽元素の分布状態を評価できる。半導体エネルギー分散型検出器、シンチレーション型反射電子検出器も搭載。試料を冷却しながらの計測も可能。大気非暴露搬送、装置内での昇華、割断、コーティングが可能。
・蛍光X線エネルギー範囲:
40 eV-4 keV(超伝導)、200 eV- 20 keV(半導体)
・エネルギー分解能:
~7 eV@400 eV X-ray(超伝導)、
<56 eV@C-Ka (半導体)
・計数率:200 kcps
・走査型電子顕微鏡:JEOL JSM-IT800SHLs
・加速器電圧範囲:10 V-30 kV
・最大サンプルサイズ:Φ100 ㎜、Φ10 ㎜(冷却時)
・2次電子最高空間分解能:0.6 nm程度@15 kV, 1.1 nm程度@1 kV
・試料最低冷却温度:-190℃以下
・機械式ヘリウム3冷凍機を用いて簡単に冷却でき、長時間の測定可能
- 設備ID
- WS-011
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- S-4800
- 仕様・特徴
- 試料サイズ最大20mm角
セミインレンズ方式による高分解能(~x600k)
EDAXによる元素分析
- 設備ID
- WS-012
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- SU8240
- 仕様・特徴
- 二次電子分解能
0.8nm (加速電圧15kV、WD=4mm、倍率270kx)
1.1nm (照射電圧1kV、WD=1.5mm、倍率200kx)
照射電圧 0.01~30kV
倍率 20~1,000,000倍
可動範囲:X 0~110mm,Y 0~80mm,R 360°
Z 1.5~40mm,T -5~70°
IM4000形イオンミリング装置付き(サンプルの断面ミリングと平面ミリング可能)
EDS System付き(元素分析可能)
- 設備ID
- WS-013
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- S5500
- 仕様・特徴
- 試料サイズ 平面5.0mmX9.5mmX3.5mmH
断面2.0mmX6.0mmX5.0mmH
倍率 ~×2M (高倍率モード)
- 設備ID
- IT-006
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立 (Hitachi)
- 型番
- S5200
- 仕様・特徴
- 高解像度用インレンズ式高解像度用インレンズ式 加速電圧1kV~30kV 分解能0.5nm(30kV)~1.7nm(1kV) 倍率X100~X2000K STEMモード可
- 設備ID
- IT-007
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立 (Hitachi)
- 型番
- S4500
- 仕様・特徴
- 電界放出型 ・冷陰極電界放出型電子銃 ・分解能:1.5 nm (加速電圧 15 kV WD=4mm) 4.0 nm (加速電圧1 kV WD=3mm) ・試料サイス:最大50 mm (直径)
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