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軟X線光電子分光装置 (Soft X-ray photoelectron spectrometer)
- 設備ID
- AE-007
- 設置機関
- 日本原子力研究開発機構(JAEA)
- 設備画像
![軟X線光電子分光装置](data/facility_item/1651115489_14.jpg)
- メーカー名
- カスタム(電子分析アナライザー: VG Scienta) (Home-made (Electron Analyzer: VG Scienta))
- 型番
- 電子分析アナライザー: SES-2002
- 仕様・特徴
- 角度分解光電子分光(ARPES)測定も可能な光電子分光装置。希土類及び3d遷移金属化合物の詳細な電子構造を調べることができる。
・光エネルギー:400-1500 eV
・エネルギー分解能:50-200 meV
・試料温度:6-300 K
多機能走査型X線光電子分光分析装置 (multi-functional scanning X-ray photoelectron spsctroscopy (XPS))
- 設備ID
- NR-401
- 設置機関
- 奈良先端科学技術大学院大学 (NAIST)
- 設備画像
![多機能走査型X線光電子分光分析装置](data/facility_item/NR-401.jpg)
- メーカー名
- アルバックーファイ (ULVAC-PHI)
- 型番
- PHI5000VersaProbeⅡ
- 仕様・特徴
- ・X線源:単色化Al Kα線(集束X線型、スポット径100μm-9μm)、Mg Kα線、Zr L線
・エネルギー分析器:同心半球型(半径 139.7 mm)
・検出器:16 チャンネル
・絶縁物測定:帯電中和用電子銃、Ar+イオン銃
・スパッタ深さ分析:Ar+イオン銃、GCIB(Arn+ Gas Cluster Ion Beam)
・5軸ステージ:X, Y, Z, Tilt, Rotation
・試料加熱冷却:-150℃-500℃
X線光電子分光装置(XPS) (X-ray photoelectron spectroscopy)
- 設備ID
- RO-525
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
![X線光電子分光装置(XPS)](data/facility_item/RO-525Y.jpg)
- メーカー名
- クレイトスアナリティカル ()
- 型番
- ESCA-3400
- 仕様・特徴
- 試料サイズ:5mm角程度
エミッション電流:20 mA、accel HT:10 kV、測定範囲:1150~-10 eV
X線源:Mg Kα, 電子結合エネルギー走査範囲:1150 ~ -10 eV
多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS) (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS))
- 設備ID
- BA-026
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
![多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)](data/facility_item/1687759070_11.jpg)
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI)
- 型番
- PHI VersaProbe 4
- 仕様・特徴
- Al Kα モノクロX線源(Ag 3d5/2 半値幅:0.50 eV)
アルゴンガスクラスターイオン銃(Ar-GCIB)
真空紫外線光源(UPS)
低エネルギー逆光電子分光法(LEIPS)
反射電子エネルギー損失分光法(REELS)
多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)with AES (X-ray Photoelectron Spectroscopy with AES)
- 設備ID
- UT-308
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
![多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)with AES](data/facility_item/1687166792_11.jpg)
- メーカー名
- アルバックファイ㈱ (ULVAC-PHI, Inc. )
- 型番
- PHI 5000 VersaProbe III with AES
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
・ 走査型マイクロフォーカスX線源による微小領域分析(最小分析領域10μm)
・ SXI(Scanning X-ray Image)により、正確・迅速に微小な分析位置を特定
・ 低エネルギー電子とイオンの同時照射により、絶縁物試料を容易に帯電中和
・ 5軸(X、Y、Z、Tilt、Rotation)モータ駆動による多点分析
・オージェ電子分光機能がついており、XPSとAESで同一か所の測定が可能
□ 主な仕様
・ 最小ビーム径:10μm以下
・ 最高エネルギー分解能:0.5eV以下(Ag3d 5/2)
・ 最大感度:1,000,000cps(Ag3d 5/2の半値幅1.0eVのとき)
・ 到達圧力:6.7×10-8Pa以下
・ AES最小分析領域:100nm