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X線光電子分光分析装置（XPS-Quantera SXM） (XPS (Quantera SXM))
- 設備ID
- NM-225
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI)
- 型番
- QuanteraSXM
- 仕様・特徴
- ・走査型単色Al Kα集束X線源
・最小X線ビーム径：9µm
・X線源パワー：1～50 W
・エネルギー分解能：＞0.5 eV（Ag 3d5/2)
・最大試料サイズ： 60 x 60 x 5 mm
表面化学実験ステーション (Surface chemistry experimental apparatus)
- 設備ID
- AE-010
- 設置機関
- 日本原子力研究開発機構（JAEA）
- 設備画像
- メーカー名
- オミクロン (Scienta Omicron, Inc.)
- 型番
- Hipp-3
- 仕様・特徴
- "表面界面の電子状態の精密分析や時分割観察が可能
・高輝度・高エネルギー分解能高輝度軟X線放射光(400～1700eV)
・複合表面分析（LEED、Arスパッター、SPM、蒸着（実績：Hf、Ge、Cs、Auなど）
・超高真空(2×10-8Pa)～ガス雰囲気(10-3Pa)
室温～1150℃加熱中の光電子分光観察
・材料プロセスの時分割観察、超音速分子線を使った反応ダイナミクス
・測定試料：半導体（Si、Ge、SiC、GaN etc）、金属（Cu、Ni、各種合金）、グラフェン等の新材料、ナノ粒子、機能物質など。単結晶、多結晶、アモルファス、薄膜等の固体試料
・導入ガス：酸素、水素、水、ギ酸、一酸化窒素、メタン、エタン、塩化メチル、NO2、COなど"
硬X線光電子分光装置 (Hard X-ray photoelectron spectrometer)
- 設備ID
- AE-008
- 設置機関
- 日本原子力研究開発機構（JAEA）
- 設備画像
- メーカー名
- シエンタオミクロン社 (Scienta Omicron, Inc.)
- 型番
- 光電子アナライザー: EW4000-１０keV
- 仕様・特徴
- 硬Ｘ線を励起光として用いることで、バルク敏感な電子状態の観測ができる。
・励起光エネルギー：6, 8, 10keV選択可能
・KBミラーによる数十μm程度の空間分解能
・試料温度：RT-900K
・中和銃による絶縁物測定
硬X線光電子分光分析装置（HAX-PES/XPS） (HAX-PES/XPS)
- 設備ID
- NM-202
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ(株) (ULVAC-PHI)
- 型番
- Quantes
- 仕様・特徴
- ・軟 X 線 (Al Kα) と硬 X 線 (Cr Kα) の２つの X 線源を有し、前者で試料最表面、後者で試料内部・界面の電子状態の観測が可能。
・電圧印可下での電子状態変化の観測が可能。
・温度制御範囲：90～870 K。
多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS) (rX-ray Photoelectron Spectroscopy)
- 設備ID
- UT-301
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバックファイ㈱ (ULVAC-PHI, Inc. )
- 型番
- PHI 5000 VersaProbe
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
・ 走査型マイクロフォーカスＸ線源による微小領域分析（最小分析領域10μm）
・ ＳＸＩ(Scanning X-ray Image)により、正確・迅速に微小な分析位置を特定
・ 低エネルギー電子とイオンの同時照射により、絶縁物試料を容易に帯電中和
・ 5軸（X、Y、Z、Tilt、Rotation）モータ駆動による多点分析
□ 主な仕様
・ 最小ビーム径：10μｍ以下
・ 最高エネルギー分解能：0.5eV以下(Ag3d 5/2)
・ 最大感度：1,000,000cps(Ag3d 5/2の半値幅1.0eVのとき)
・ 到達圧力：6.7×10-8Pa以下
X線光電子分光装置 (X-ray photoemission spectrometer)
- 設備ID
- NU-207
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- VG (VG)
- 型番
- ESCALab250
- 仕様・特徴
- ・Mg/Alツインアノード
・AlモノクロX線源
・Arスパッタ銃
・角度分解測定用マニュピレータ
・最大試料サイズ：20mmφ
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置 (Multipurpose plasma process system with radical monitor)
- 設備ID
- NU-237
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマ処理の際に生成する温度，ラジカル密度，励起種，表面分析をIn-situで行う．
・プロセスガス：H2，N2，Ar，O2，He
・基板温度：－10℃-60℃
・サンプル：4インチウエハ
表面解析プラズマビーム装置 (Plasma beam system with surface analysis)
- 設備ID
- NU-239
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマビームを材料表面に照射後のin-situ XPS評価により，表面-プラズマ間の反応の解析が可能．
・使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8，Cl2，H2，N2，O2
in-situプラズマ照射表面分析装置 (In-situ plasma exposure and analysis system)
- 設備ID
- NU-240
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・プラズマ照射後の表面のin-situ XPS，FT-IR，STM分析が可能．
・プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4
電子状態測定システム (X-ray photoelectron spectrometer)
- 設備ID
- KU-501
- 設置機関
- 九州大学
- 設備画像
- メーカー名
- 島津製作所 ( Shimazu )
- 型番
- AXIS-ULTRA
- 仕様・特徴
- ・測定範囲10～1500 eVを25meV以下のステップ、
・分析面積15μmφ～
・Mg/AlデュアルX線源、出力～450W
・イオンポンプ、真空到達度10-10 Pa
・Arエッチング可能、
・予備室内での加熱処理対応、
・大面積試料バーで複数試料の同時マウントが可能
・元素マッピング可能