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枚葉式ZEP520自動現像装置 (ZEP520 Auto Developing Machine)

設備ID
UT-506
設置機関
東京大学
設備画像
枚葉式ZEP520自動現像装置
メーカー名
アクテス京三 (Actes Kyosan)
型番
ADE-3000S(Big)
仕様・特徴
ZEP520電子線用レジストの自動現像装置

スプレーコーター  (Spray Coater)

設備ID
UT-507
設置機関
東京大学
設備画像
スプレーコーター
メーカー名
アクティブ (ACTIVE)
型番
ACT-300AⅡS
仕様・特徴
厚膜のレジストを塗布できるスプレーコーター

電子線描画用近接効果補正ソフト (Procxymity effect correction for electron beam lithography)

設備ID
UT-508
設置機関
東京大学
設備画像
電子線描画用近接効果補正ソフト
メーカー名
GenISys (GenISys GmbH)
型番
Beamer
仕様・特徴
電子線描画時に生じる近接効果を補正して設計通りのレズストパターンを電子線で描画するためのパターン補正システム。グレースケール露光用のデータ生成が可能。

枚葉式自動リフトオフ装置 (Automatic liftoff system)

設備ID
UT-509
設置機関
東京大学
設備画像
枚葉式自動リフトオフ装置
メーカー名
エイ・エス・エイ・ピイ (ASAP)
型番
LOA34-8-5-09
仕様・特徴
リフトオフを自動で行い成功確立が上がります。

汎用ICPエッチング装置 (General purpose ICP etching machine)

設備ID
UT-600
設置機関
東京大学
設備画像
汎用ICPエッチング装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
CE-300I
仕様・特徴
誘導性結合プラズマ(ICP)エッチング装置で、こちらは汎用装置。
4”丸型ウエーハの入る装置。
利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2
主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属のエッチングに利用。

川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, )

設備ID
UT-601
設置機関
東京大学
設備画像
川崎ブランチ化合物用エッチング装置
メーカー名
オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
型番
Plasma Pro 100 ICP-180
仕様・特徴
誘導結合プラズマ(ICP)によるエッチング装置です。
化合物半導体基板(GaAs,InP,GaN等)を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。
導入ガス種:Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He

気相フッ酸エッチング装置 (Vapor Phase HF Etcher )

設備ID
UT-602
設置機関
東京大学
設備画像
気相フッ酸エッチング装置
メーカー名
IDONUS (IDONUS)
型番
仕様・特徴
8インチ装置、Vapor HF専用、気相フッ化水素(HF水溶液を蒸発)によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、MEMSデバイスの可動構造体、中空構造を形成するための装置です。独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4,6,8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。

汎用高品位ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)

設備ID
UT-603
設置機関
東京大学
設備画像
汎用高品位ICPエッチング装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
NE-550
仕様・特徴
CE-300Iの上位機種(ULVACのフラッグシップモデル)です。大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。SiO2、ガラスのエッチングも可能です。
4”装置 塩素・フッ素系汎用。 Cl2, BCl3, Ar, O2, CF4,CHF3, SF6, C3F8

高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)

設備ID
UT-604
設置機関
東京大学
設備画像
高速シリコン深掘りエッチング装置
メーカー名
SPTS (SPTS)
型番
MUC-21 ASE-Pegasus
仕様・特徴
高密度プラズマにより(ICPパワー3kWまで。1800W常用)、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。(例:EBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口のトレンチを20分エッチングして深さ135μm可能)。4”装置。100nmクラスの開口可能。特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。

塩素系ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)

設備ID
UT-605
設置機関
東京大学
設備画像
塩素系ICPエッチング装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
CE-S
仕様・特徴
オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機。
8”装置(任意サンプル貼り付けエッチング可能)
Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行っています。
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