共用設備検索
共用設備検索結果
- 設備ID
- UT-157
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- gatan (gatan)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
より試料を取り外すことなく既設装置である
イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
ミリングアングル -10°～+10° 調整可能
イオンエネルギー 100 eV ～8 keV
イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
試料回転 1～6 rpm まで可変
X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
デュアーの保持時間 約6～7時間
ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C)
ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
温度領域 -120°C～室温
試料冷却 -120°Cまで可能
- 設備ID
- UT-012
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-F200
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
最新のオペレーティングシステムを採用。電子顕微鏡、CMOSカメラ、EDS、EELSを1つのシステムで操作が可能。
□ 主な仕様
・分解能：走査透過像 0.16nm,透過像(粒子像) 0.23nm
・倍率：走査透過像×100～×150,000,000 TEM像×500～×20,000,000
・ 電子銃：冷陰極電界放出形電子銃搭載 加速電圧 200kV･80kV
・ 試料系：試料傾斜 X軸±27゜Y軸±30゜
・ 分析：高感度のSDD検出器2本同時搭載、EELS検出器を装備
・ 非暴露冷却ホルダー対応
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
- 設備ID
- UT-953
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- マイクロニクス (micronix)
- 型番
- MY5310B
- 仕様・特徴
- ・フェライト系電波吸収体を使用。
・超小型・広帯域アンテナ（30MHz～1GHz）を用意。
EMI試験に最適
・内寸：1230(W)x915(H)x915(D)
・ドア開口部寸法：約410(W)×710(H)mm
・同軸コネクタ：N(J)×1（正面左下・アンテナ用）、N(J)×1（右側面下）
・インターフェース：D-sub25ピン×1（メス）、LAN×1
AC×1（250Vmax/10A）、※電動ターンテーブル装着時はAC100V
・シールド性能：70dB typ@2.2GHz
・吸収性能：20dB以上＠35MHz～2.2GHz
注意：キャリブレーションキット（ZV-Z132、R&S）が武田309号室川原研究室にあります。使用したい場合はお声掛けください。
- 設備ID
- UT-952
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 1.東洋メディック、2.独ローデシュワルツ、3.NF回路設計ブロック、4.NF回路設計ブロック、5.三菱電機エンジニアリング、6.テクトロニクス、7.ローデ・シュワルツ、8.エレクトロニクス&イノベーション、9.エレクトロニクス&イノベーション (1.Toyo Medic、2.Rohde & Schwarz、3.NF Corporation、4.NF Corporation、5.Mitsubish Electric Engineering、6.Tektronics、7..Rohde & Schwarz、8.Electronic & Innovation、9.Electronic & Innovation)
- 型番
- 1.等方性電磁界測定装置EHP-200A（東洋メディック）、2.ベクトルネットワークアナライザVNA R&S ZVL6（独ローデシュワルツ）、3.周波数応答分析装置FRA5097（NF回路設計ブロック）、4.高速バイポーラ電源 HSA4101（NF回路設計ブロック）、5.無線供給用電源KM-1 T1050（三菱電機エンジニアリング）、6.スペアナRSA5106B（テクトロニクス）、7.パワーメーターNRP-Z91（ローデ・シュワルツ）、8.リニアアンプA075 ７５W（エレクトロニクス&イノベーション）、9.リニアアンプ1041L 400W（エレクトロニクス&イノベーション）
- 仕様・特徴
- 1.等方性電磁界測定器EHP-200A、9kHzから30MHzの周波数帯域における電界（0.02～1000V/m）または磁界（6mA/m～300A/m）を高精度に測定する等方性電磁界測定器です。
2.ベクトルネットワークアナライザVNA R&S ZVL6、9KHzから6GHzの周波数帯域におけるSパラメータを高速・高精度に解析できる装置です。
3.周波数応答分析装置FRA5097、ディジタルフーリエ積分方式の優れたノイズ除去特性を生かし、0.1 mHzから15MHzの周波数帯域において、被測定対象の周波数応答（振幅・位相）を高精度に測定する装置です。
4.高速バイポーラ電源HSA4101、直流から最高10MHzまでの信号を扱うことができる高速・広帯域・高電圧出力のバイポーラ方式電力増幅器です。
5.無線供給用電源KM-1 T1050、無線電力伝送装置の開発に使用できる6.78MHz，50W 出力電源
6.スペアナRSA5106B、最高40GHzの周波数帯域に対応し、VLFバンドからKuバンドまでの9kHz～18.0GHzの信号をすばやく捕捉できます。
7.パワーメーターNRP-Z91、アベレージ・パワー・センサ：9kHz～6GHzの周波数範囲
8.リニアアンプA075、クラスA 75W出力、周波数300KHz～35MHz
9.リニアアンプ1040L、400W出力、周波数10KHz～5MHz
- 設備ID
- UT-951
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京計器 (Tokyo Keiki)
- 型番
- SR602M
- 仕様・特徴
- 1.電磁波の影響を受けず測定ができる環境を提供します。
2.メッシュ式シールドルーム
3.内寸：W2.7mｘD3.6mｘH2.1m
4.シールド性能：500KHz（または150kHz）～2GHzにおいて60dB以上減衰（電界/平面波）
- 設備ID
- UT-001
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL)
- 型番
- JEM-ARM200CF
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・冷陰極電界放出電子銃
・加速電圧: 30 - 200 kV
・分解能: 0.071 nm (200 kV), 0.11 nm (60 kV)
・分析機能: EDS, EELS
・収差補正装置（プローブ補正）
・遠隔操作利用可
- 設備ID
- UT-002
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
照射系球面収差補正装置を標準搭載し、機械的・電気的安定度を極限まで高めることで、世界最高の走査透過像(STEM-HAADF)分解能 0.08nmを実現
□ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、120kV
・ 分解能：走査透過像※ 0.08nm (加速電圧200kV)※環状型暗視野検出器を使用
・ 倍率：走査透過像 200～150,000,000倍
・ 透過顕微鏡像 50～2,000,000倍
・ 収差補正装置：照射系球面収差補正装置 組み込み
・ 検出器：エネルギー分散形X線分析装置 (EDS)、電子線エネルギー損失分光器（EELS）、軽元素対応像検出器、CCD検出器（2k×2k）
- 設備ID
- UT-003
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
・ 結像系球面収差補正装置を搭載することにより、透過顕微鏡像(TEM)の分解
能が0.11nmまで向上
・ 高圧、対物電流の変動を従来機の50%に抑制し、電気的安定度を大幅に向上
・ 鏡筒径を大きくし剛性を高めるとともに、架台の構造を最適化し、装置全体の機械的強度を従来機の約2倍に強化し、機械的安定度を向上
・ 熱および磁気シールドを標準装備。また、装置周囲の対流の変化による鏡筒表面の温度変化を防ぐために、鏡筒全体をカバーで被覆
□ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、120kV、100kV、80kV、60kV
・ 分解能：粒子像透過顕微鏡分解能 0.10nm(加速電圧200kV)
・ 倍率：走査透過像 200～150,000,000倍
・ 透過顕微鏡像 50～2,000,000倍
・ 収差補正装置：結像系球面収差補正装置
・ 検出器：CCDカメラ、CMOSカメラ×2
- 設備ID
- UT-004
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEM-ARM200F Cold FE
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・ 加速電圧:200kV、80kV
・ 分解能：TEM格子像 0.10nm
TEM粒子像 0.23nm
STEM明視野格子像 0.136nm
STEM暗視野格子像 0.10nm
・ 倍率：TEM像 50～2,000,000倍
STEM像 200～150,000,000倍
・ 収差補正装置：照射系球面収差補正装置 組み込み
・ 検出器：エネルギー分散形X線分析装置 (SDD×2)、電子線エネルギー損失分光器（EELS）、軽元素対応像検出器、CCD検出器（2k×2k,4k×2k）
・試料2軸傾斜スライドカバーホルダー
・高温加熱通電ホルダー
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