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共用設備検索結果
"香川大学"で検索した結果 15件
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- 設備ID
- GA-010
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- DISCO (Disco)
- 型番
- DAD3220
- 仕様・特徴
- 切削方法:ダイヤモンドブレードを用いた切削
切削可能範囲:Φ6インチ、厚さ1mm程度まで対応可能
加工対象:Si、ガラス、半導体パッケージ、セラミックス、石英、水晶等
切削精度:5μm程度
切削速度:0.1~500mm/sec
- 設備ID
- GA-011
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- カール・ズース (SUSS MicroTec)
- 型番
- PM5
- 仕様・特徴
- 対応基板サイズ:直径1インチ~150mm
X・Y移動範囲(粗動):最大150mm×150mm
X・Y移動範囲(微動):10mm×10mm
Θ調整範囲:360°
高さ調整範囲:10mm
顕微鏡X・Y移動範囲:50mm×50mm
- 設備ID
- GA-012
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA/M8
- 仕様・特徴
- 膜厚と屈折率を測定可能
処理物:~12インチウェハ 光源波長:632.8nm(He-Neレーザー)
入射角:55°~75°,90°
入射角設定単位:0.01°
最小分解能:1Å
分布計測分解能:0.01mm
- 設備ID
- GA-013
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子, 日本電子, 日本電子, ディエナー (JEOL, JEOL, JEOL, diener)
- 型番
- JSM-IT800SHL, JCM-7000, JFC-3000FC, Femto
- 仕様・特徴
- ・JSM-IT800SHL
サンプルサイズ:~φ100mm
分解能:0.7nm(20kV)1.3nm(1kV)
倍率:×27~5,480,000(表示倍率)
加速電圧:0.01~30kV
分析機能:EDS
・JCM-7000
サンプルサイズ:~φ25mm(傾斜回転有)~φ80mm(傾斜回転無)
倍率:×10~100,000
加速電圧:5kV、10kV、15kV(3段)
- 設備ID
- GA-014
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーエンス (KEYENCE)
- 型番
- VK-X3100
- 仕様・特徴
- 倍率:×42~28,800
視野範囲:11?7398 μm
測定原理:レーザー共焦点、フォーカスバリエーション、白色干渉、分光干渉
レーザ光源波長:半導体レーザ404 nm
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