共用設備検索結果
光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- GA-016
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- シータメトリシス (ThetaMetrisis)
- 型番
- FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
- 仕様・特徴
- 測定膜厚範囲（SiO2）：10nm – 80μm（10X）
測定精度：0.2% or 2nm
測定波長範囲：380nm～1020nm
多層膜測定：4層まで可能
測定スポット径：10,25,50,100μm
光源：ハロゲンランプ
サンプルサイズ：Max.200 x 200 mm
光学フィルター：Y-48、R-60
その他：自動マッピング
ウエハスピン現像装置 (Wafer spin developer )
- 設備ID
- GA-015
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 滝沢産業 (TAKIZAWA SANGYO)
- 型番
- AD-1200（無機用），AD-1200（有機用）
- 仕様・特徴
- 基板サイズ：φ4"以下
基板ホルダー：真空吸着式
基板回転数：0～3000rpm 可変式
処理時間：999sec/stop（1sec単位）
使用薬液：無機系アルカリ液対応と有機溶剤対応
処理方法：スプレースイングアーム式
電子線描画装置 (Electron beam lithography system)
- 設備ID
- GA-001
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 加速電圧：50kV、30kV、20kV
描画可能な最小線幅10nm
フィールドつなぎ精度50nm 以下
描画対象：6インチまで対応可能
所要時間：線幅1μm／2インチウエハ；5～6時間
線幅10nm／2インチウエハ；4日間
マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system)
- 設備ID
- GA-002
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、
光源:LD(波長375±5nm)
描画方法:直接描画
描画対象:150mm角、
最小描画精度:最小線幅1μm程度、
アライメント精度±0.15μm
スピンコータ－ (Spin-coater)
- 設備ID
- GA-003
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ミカサ (MIKASA)
- 型番
- MS-B150
- 仕様・特徴
- 回転塗布式 １ヘッド
真空吸着方式
試料サイズ：最大154mmφ1mmt
回転数：300–7000r.p.m
回転精度：±1r.p.m
回転時間：最大999.9sec（合計）
回転制御：プログラム方式・最大100段入力可
デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)
- 設備ID
- GA-004
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハシノッテク (Hashino-tech)
- 型番
- 10W-IBS
- 仕様・特徴
- 4in-IBS
熱陰極型イオン源:2基（:50～1000eV）
基板加熱温度:最大700゜C
膜形成中のイオン同時照射機能
イオンビ－ムエッチング機能
【ビームガン1：エッチング用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
イオン流密度：0.3～0.6mA/cm2 (500V加速時)
ビーム有効径：φ4インチ(分布測定可能)
真空度：～8ｘ10-5Pa
試料寸法：φ4インチまで
【ビームガン2：デポジション用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
ターゲット：Au、Cr、Tiほか
ステージ角度：ターゲットに対し-90～+90℃設定可
ステージ位置：上下50mm調整可
真空度：～8ｘ10-5Pa
試料寸法：φ4インチまで
触針式表面形状測定器 (Stylus-type surface shape measuring system)
- 設備ID
- GA-005
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- Dektak8
- 仕様・特徴
- 測定分解能:最小:0.1nm
垂直分解能/レンジ：1Å/65kÅ、10Å/655kÅ、40Å/2620kÅ
サンプルサイズ：直径210mm
測定長さ：50μm〜50mm
最大サンプリング数：30,000点
測定加重：1〜15mg
自動多点測定数：最高200点
サンプル観察：
トップビュー（低倍率カラー）10mm
サイドビュー（高倍率カラー）1mm
測定再現性:1nm以下
白色干渉式非接触三次元形状測定器 (White light interference type non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-007
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ﾌﾞﾙｶｰ･ｴｲｴｯｸｽｴｽ (Bruker)
- 型番
- NT91001A-in motion
- 仕様・特徴
- in-situ駆動観察
測定方式:垂直走査型干渉方式
位相シフト干渉方式
分解能:X,Y方向:1μm
Z方向:0.1～1nm
試料ステージ:6インチ
レーザー式非接触三次元形状測定器 (Laser non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-008
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 三鷹光器 (Mitaka Kohki)
- 型番
- NH-3N
- 仕様・特徴
- 計測方法:レーザープローブ方式
計測範囲:150mm×150mm×1０mm(X、Y、Z)
測定分解能:0.1×0.1×0.01μm
デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)
- 設備ID
- GA-009
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイロックス (Hirox)
- 型番
- KH-7700
- 仕様・特徴
- 有効画素数 : 201万画素
最高解像度 : 3000万画素
倍率 : ～400倍