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汎用プラズマ処理装置 (Reactive ion etching system for general purpose)

設備ID
RO-412
設置機関
広島大学
設備画像
汎用プラズマ処理装置
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
SF6

エッチング装置(Si深掘用) (Si deep etching system)

設備ID
RO-413
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(Si深掘用)
メーカー名
住友精密工業 (Sumitomo Precision Products CO.,LTD.)
型番
MUC-21
仕様・特徴
対応wafer:4inch以下
Bosch Processを用いた深掘エッチング装置, C4F8, SF6, O2, Ar使用可能

エッチング装置(ICP Al用) (Inductively coupled plasma etcher for Al)

設備ID
RO-414
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(ICP Al用)
メーカー名
株式会社ユーテック (YOUTECUniversal Technics Co.,Ltd )
型番
12-228PH
仕様・特徴
2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
Cl2, HBr, N2使用可能

エッチング装置(CDE SiN用) (Chemical dry etching system for Si3N4)

設備ID
RO-415
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(CDE SiN用)
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
2,3inch、cut wafer
CF4, O2, N2使用可能

エッチング装置(レジスト Ashing用) (Asher)

設備ID
RO-416
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(レジスト Ashing用)
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
O2, N2使用可能 レジストアッシング用

エッチング装置(ICP Poly-Siゲート用) (Inductively coupled plasma etcher for poly-Si)

設備ID
RO-417
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(ICP Poly-Siゲート用)
メーカー名
株式会社ユーテック (YOUTECUniversal Technics Co.,Ltd )
型番
12-228PH
仕様・特徴
2inch、cut waferは2inchに貼り付けて対応可
Cl2, O2, N2, HBr使用可能

エッチング装置(汎用) (Dry etching system for general purpose)

設備ID
RO-418
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(汎用)
メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
VX-20S
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
CF4, O2, N2使用可能

プローバ (High-temperature manual probe station)

設備ID
RO-511
設置機関
広島大学
設備画像
プローバ
メーカー名
日本マイクロニクス (Micronics Japan)
型番
C-51
仕様・特徴
解析・評価を行うためのマニュアルプローバ

半導体パラメータアナライザ (Semiconductor Parameter Analyzer)

設備ID
RO-512
設置機関
広島大学
設備画像
半導体パラメータアナライザ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4156他
仕様・特徴
トランジスタ特性測定(HP4156、プローバ含む)、
電源3ユニット、最小測定電流0.1pA

LCRメータ (LCR meter)

設備ID
RO-513
設置機関
広島大学
設備画像
LCRメータ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4284他
仕様・特徴
周波数 20Hz~1MHz   16048B
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