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インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)

設備ID
RO-223
設置機関
広島大学
設備画像
インプラ後アニール炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
最高使用温度1150℃

ウェル拡散炉 (Well diffusion furnaces)

設備ID
RO-224
設置機関
広島大学
設備画像
ウェル拡散炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
最高使用温度1150℃

ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉 (Post-metallization annealing furnaces)

設備ID
RO-225
設置機関
広島大学
設備画像
ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉
メーカー名
神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
N2=2slm、H2=0.5slm (400℃)
最高使用温度900℃

燐拡散炉 (Phosphorus diffusion furnaces)

設備ID
RO-226
設置機関
広島大学
設備画像
燐拡散炉
メーカー名
神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
最高使用温度900℃

汎用熱処理装置 (Annealing furnaces for general purpose)

設備ID
RO-227
設置機関
広島大学
設備画像
汎用熱処理装置
メーカー名
光洋サーモシステム ()
型番
KTF453N-VP
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
各種材料窒素アニール用(400~1000℃)
O2とN2又はH2のどちらか一方が使用可能

連続発振レーザアニール装置(レーザ結晶化装置) (CW OSC Laser annealing (Laser crystallization))

設備ID
RO-231
設置機関
広島大学
設備画像
連続発振レーザアニール装置(レーザ結晶化装置)
メーカー名
(自作) ()
型番
(自作)
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
【技術代行専用】
レーザ出力:0.24 ~ 10.0 W、
レーザ径:1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度:0.1 ~ 10 cm/s

LPCVD装置(poly-Si用) (Low-pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor for poly-Si deposition)

設備ID
RO-311
設置機関
広島大学
設備画像
LPCVD装置(poly-Si用)
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
モノシランの熱分解、650℃

LPCVD装置(SiN用) (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)

設備ID
RO-312
設置機関
広島大学
設備画像
LPCVD装置(SiN用)
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
ジクロルシランとアンモニアの反応、基板温度750℃

LPCVD装置(SiO2用) (Low-pressure CVD reactor for SiO2 deposition)

設備ID
RO-313
設置機関
広島大学
設備画像
LPCVD装置(SiO2用)
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
モノシランと一酸化窒素の混合モード、
TEOS+オゾン の2つのモード可能、
最高温度850℃

常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)

設備ID
RO-314
設置機関
広島大学
設備画像
常圧SiO2CVD装置
メーカー名
天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.)
型番
M01
仕様・特徴
対応wafer:2inch (一度に~6枚まで可能)
基板温度400℃、
PおよびBドープ可能
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