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共用設備検索結果
"大阪大学"で検索した結果 32件
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- 設備ID
- OS-113
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ (CANON ANELVA)
- 型番
- EB1100
- 仕様・特徴
- 【特徴】
スパッタチャンバー室、ロードロック室を備えた2室構造の平行平板型スパッタ装置。10nm以下の成膜が可能。真空を破らずに基板-ターゲット間距離を100～300mmの範囲で変更でき、搬送から成膜まで自動制御できるシステムを備える。
【仕様】
Au, Pt, Cr成膜用
ターゲット基板間距離100～300mm可変
全自動（排気、搬送、成膜）
最大200mm基板対応可能
- 設備ID
- OS-114
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu Electron)
- 型番
- SVC-700LRF
- 仕様・特徴
- 【特徴】
Ti, Cr, W, Au, Pt等の金属のスパッタリングによる成膜が可能。TS間距離が400mmあるので、サンプル表面を均一にスパッタ加工したいユーザーに最適。
【仕様】
試料サイズ：max 4 inch
- 設備ID
- OS-115
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu Electron)
- 型番
- SVC-700LRF
- 仕様・特徴
- 【特徴】
SiO2, Al2O3等の絶縁体のスパッタリングによる成膜が可能
【仕様】
試料サイズ：max 4 inch
- 設備ID
- OS-116
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- MB02-5002
- 仕様・特徴
- 【特徴】
誘導結合型RFプラズマ支援ヘリコン型スパッタ装置です。
隔膜式真空計を備えており、プロセスガス圧の高度な制御が可能です。
【仕様】
ターゲットサイズ：2inch
利用可能なターゲット：Au,Pt,Al2O3,SiO2,ITOなど（使用ごとに交換必要）
プロセスガス：Ar,O2
基板加熱温度：800℃
ターゲット基板間距離：200mm
- 設備ID
- OS-117
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- UEP-2000 OT-H/C
- 仕様・特徴
- 【特徴】
蒸発源として電子ビームを用いることで、蒸発させにくいPt, Au, Ni, Tiなどの金属薄膜の形成が可能。微細構造作製のため基板への斜入射蒸着が可能で、基板の冷却および加熱機能を備える。
【仕様】
高真空中で一度に4種類の金属薄膜形成が可能
試料サイズ：max 4 inch
- 設備ID
- OS-119
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社パスカル (Pascal Co.,Lid.)
- 型番
- MC-LMBE
- 仕様・特徴
- 【特徴】
スキャニングRHEEDと2つのコンビナトリアルマスクを用いて、成長を原子レベルで制御しながら、一枚の基板上に異なる条件の試料を一括作製することが可能です。
【仕様】
レーザー波長：193nm(ArF)
レーザー周波数、エネルギー：1～20Hz、最大240mJ
試料サイズ：10mm×10mm
真空度：10-7Pa台
雰囲気ガス：O2（0.02～20Pa)
基板加熱温度：1200℃
RHEED最大加速電圧：30kV
- 設備ID
- OS-120
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社リガク (Rigaku Corporation)
- 型番
- Ultima IV
- 仕様・特徴
- 【特徴】
粉末試料、薄膜試料が測定可能な水平試料型X線回折装置です。
薄膜インプレーンスキャンによる面内構造解析が可能です。
試料交換、スリット等の交換も容易にできます。
【仕様】
定格出力：1.6kW(40kV,40mA)
試料ステージサイズ：10cmφ 2θ/θ、インプレーン測定が可能
- 設備ID
- OS-123
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- シスメックス株式会社（マルバーン） (SYSMEX CORPORATION (Malvern))
- 型番
- NANO-ZS
- 仕様・特徴
- 【特徴】
動的散乱光法により溶液中に分散された粒子の粒子径や、ゼータ電位測定が可能な装置です。
低濃度または高濃度サンプルにも対応可能です。
（濃度0.1ppm～40%/Wでの測定が可能）
【仕様】
必要試料量：70μL
粒子径測定：0.6nm～6μm（動的光散乱法）
ゼータ電位測定：3nm～10μm
- 設備ID
- OS-125
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science Corporation)
- 型番
- AFM5000/AFM5300E
- 仕様・特徴
- 【特徴】
AFM,c-AFM,STM,DFM,MFM,KFM,PRM,電流マッピング,SNDMなどが測定可能な走査型プローブ顕微鏡です。
温度制御、調湿制御機構を備えており、真空下での測定も可能です。
500ｍTの磁場が試料水平方向に印加可能です。
【仕様】
試料サイズ：15mmφ
温度制御：-120～300℃
調湿制御：30～70％
真空中測定：10E-4Paまで可能
磁場印加：試料水平方向に500ｍT
- 設備ID
- OS-126
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- ブルカージャパン株式会社 (Bruker Japan K.K.)
- 型番
- DektakXT
- 仕様・特徴
- 【特徴】
10nm以下の段差を測定できる触針式の膜厚測定器です。
3D機能を備えたプロファイリングシステムを搭載しており、3Dマッピングが可能です。
【仕様】
試料ステージ：150mmφ
分解能：0.4nm
垂直測定レンジ：1 mm
膜厚測定再現性（1σ）：5Å
走査距離上限：55mm
触針圧：1mg～15mg
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