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リアクテブイオンエッチング装置 (Reactive ion etcher)

設備ID
IT-012
設置機関
東京工業大学
設備画像
リアクテブイオンエッチング装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
RIE_10NR
仕様・特徴
・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置
・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能
・高速排気エッチング ガスの種類:CH4, H2, O2, Ar,CF4, O2

ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher)

設備ID
IT-013
設置機関
東京工業大学
設備画像
ICPリアクテブイオンエッチング装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
ICP-101RF
仕様・特徴
・使用ガス:CF4, SF6, CH4, H2, O2
・4-inchウエハまで対応 シリコン加工関連のみに限定対応

ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher for diamond)

設備ID
IT-014
設置機関
東京工業大学
設備画像
ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
ICP-400iP
仕様・特徴
ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大4インチ, 2インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種:CHF3, O2, CF4

SiO2プラズマCVD 装置 (SiO2 Plasma enhanced CVD)

設備ID
IT-015
設置機関
東京工業大学
設備画像
SiO2プラズマCVD 装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
PD-100ST
仕様・特徴
PD-100ST 使用ガス: TEOS、O2、CF4 最大3インチまで

SiN/a-SiプラズマCVD 装置 (SiN/a-Si plasma enhanced CVD)

設備ID
IT-016
設置機関
東京工業大学
設備画像
SiN/a-SiプラズマCVD 装置
メーカー名
住友精密工業 (STS)
型番
Multiplex-CVD
仕様・特徴
シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜

スパッタ成膜装置(金属用) (Metal Sputtering machine)

設備ID
IT-017
設置機関
東京工業大学
設備画像
スパッタ成膜装置(金属用)
メーカー名
ケーサイエンス (K-science Inc)
型番
KS-702-KM
仕様・特徴
ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備 ・膜厚計装備 ・スパッタコントローラ装備 ・Ti, W, TiW ロードロック付き装置

スパッタ成膜装置(絶縁膜用) (Insulator Sputtering machine)

設備ID
IT-018
設置機関
東京工業大学
設備画像
スパッタ成膜装置(絶縁膜用)
メーカー名
ケーサイエンス (K-science Inc)
型番
KS-702KAM
仕様・特徴
ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備
・膜厚計装備
・スパッタコントローラ装備
・SiN、Ta2O3、SiO2 最大2インチ程度まで

基板貼付け装置 (Wafer bonding equipment)

設備ID
IT-019
設置機関
東京工業大学
設備画像
基板貼付け装置
メーカー名
アユミ工業 (Ayumi Inc)
型番
 VE-07-18 
仕様・特徴
・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角
・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2
・最大プラズマ強度:750W
・アライメント精度<±1.6 μm
・チャンバー真空度:~10-5 Pa
・最大加熱温度:500℃
・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf
・加重部 加重範囲:50~1000 kgf

ウェハ洗浄装置 (Single Wafer Cleaning System)

設備ID
IT-020
設置機関
東京工業大学
設備画像
ウェハ洗浄装置
メーカー名
EVG (EVG)
型番
EVG301
仕様・特徴
・PVA製スポンジブラシ洗浄 ・メガソニック洗浄(最大振動子出力:40 W) ・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角

C-Vプロファイラ (C-V profiler)

設備ID
IT-021
設置機関
東京工業大学
設備画像
C-Vプロファイラ
メーカー名
バイオ・ラッド ラボラトリーズ (Bio-rad)
型番
POLARON PN4400
仕様・特徴
ワイドバンドギャップ半導体評価も可能
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