共用設備検索結果
ウルトラミクロトーム (Ultramicrotome)
- 設備ID
- NM-514
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ライカマイクロシステムズ (Leica Microsystems)
- 型番
- Leica EM UC6
- 仕様・特徴
- ・ガラスナイフまたはダイヤモンドナイフを使用して薄切切片を製作
・液体窒素冷却機能付属
電子線トモグラフィー解析システム (Electron tomography analysis system)
- 設備ID
- NM-515
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- ・3D再構築、ビジュアライゼーション
TEM試料作製装置群 (TEM sample preparation apparatus)
- 設備ID
- NM-516
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- Gatan 日本電子 BEUHLER Allied 日本レーザー電子 真空デバイス (Gatan JEOL BEUHLER Allied Nippon Laser & Electronics Vacuum Device)
- 型番
- Dimple Grinder(Model 656) PIPS II(Model 695) PIPS(Model 691) Ion Slicer(EM-09100IS) ISOMET Multiprep Carbon coater(JEC-560) Platinum coater(JFC-1600) Au coater(JFC-1500) Osmium coater(NL-OPC80A) Osmium coater(HPC-1SW) PECS(Model 682) Disc Cutter(Model 601) DII-29020HD
- 仕様・特徴
- Dimple Grinder(Model 656)
・初期試料厚さ: 200 µm以下
・自動停止機構付き
PIPS II(Model 695)
・加速電圧: 0.1～6 kV
・液体窒素冷却ステージ
PIPS(Model 691)
・加速電圧: 0.1～6 kV
・液体窒素冷却ステージ
Ion Slicer(EM-09100IS)
・加速電圧: 1～8 kV
ISOMET
・4インチダイヤモンド切断砥石
Multiprep
・試料傾斜角度: 0～10°
・精密マイクロメーター付き
PECS(Model 682)
・コーディング材料：カーボン, クロム, 金パラジウム, コバルト
Disc Cutter(Model 601)
・金属試料の3mmディスク切り出し
TEMグリッド等の親水化処理
電子ビーム描画装置 [ELS-F125] ( EB Lithography [ELS-F125])
- 設備ID
- NM-601
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子ビーム描画装置 [ELS-F125]](data/facility_item/NM-601.jpg)
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-F125
- 仕様・特徴
- ・用途：高精細ナノパターニング
・電子銃：ZrO/W 熱電界放射型
・最大加速電圧：125kV (25kV ステップで可変)
・フィールドつなぎ精度：25nm 以下(500μm フィールド）
・重ね合わせ精度：30nm 以下(500μm フィールド）
・最大試料サイズ：6 inch
・走査クロック周波数：100MHz
レーザー描画装置 [DWL66+] (Laser Lithography [DWL66+])
- 設備ID
- NM-603
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![レーザー描画装置 [DWL66+]](data/facility_item/NM-603.jpg)
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インストルメンツ (HEIDELBERG INSTRUMENT)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- ・光源：375nm 半導体レーザー (70mW)
・描画モード：ラスタースキャン描画、ベクターモード描画
・解像モード：0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm
・最大試料サイズ：8インチ角
・その他：グレースケール描画、重ね合わせ描画
マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P] (Maskless Lithography [DL-1000/NC2P])
- 設備ID
- NM-604
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]](data/facility_item/1651463479_14.jpg)
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-1000 / NC2P
- 仕様・特徴
- ・用途：高速マスクレスパターニング
・光源：405nm 半導体レーザー（h線）
・照度：10W/cm2
・位置決め精度：500nm 以下
・重ね合わせ精度：500nm 以下
・最大試料サイズ：8インチ角
・その他：グレースケール露光，スキャニング露光，自動／手動アライメント機能
水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1] (H2O Plasma Cleaner [AQ-500 #1])
- 設備ID
- NM-605
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]](data/facility_item/NM-605.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AQ-500
- 仕様・特徴
- ・用途：洗浄・還元・灰化・接合・親水化
・高周波出力：50-250W
・反応ガス：H2O,O2
・最大試料サイズ：φ8 inch
・その他：自動運転プログラム
UVオゾンクリーナー [UV-1] (UV Ozone Cleaner [UV-1])
- 設備ID
- NM-606
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![UVオゾンクリーナー [UV-1]](data/facility_item/NM-606.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- UV-1
- 仕様・特徴
- ・用途：基板クリーニング，表面改質
・光源：紫外線ランプ （184.9nmおよび253.7nm）
・オゾンジェネレータ：無声放電方式高濃度オゾナイザー
・ステージ温度：室温～300度
・最大試料サイズ：φ8 inch
スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3] (Sputter [CFS-4EP-LL #3])
- 設備ID
- NM-607
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]](data/facility_item/NM-607.jpg)
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL (i-Miller)
- 仕様・特徴
- ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ／バイアススパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ3インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O2，N2
・最大試料サイズ：φ8inch（水冷ステージ）
・現有ターゲット：Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2（2020年4月時点）
スパッタ装置 [JSP-8000] (Sputter [JSP-8000])
- 設備ID
- NM-608
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![スパッタ装置 [JSP-8000]](data/facility_item/NM-608.jpg)
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- j-Sputter
- 仕様・特徴
- ・用途：金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式：DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／3元同時／逆スパッタ可能
・電源出力：Max 500W
・カソード：φ4インチ×4式
・プロセスガス：Ar，O2，N2
・最大試料サイズ：φ6inch
・その他：試料ステージ水冷／加熱可 （最大300度）
・現有ターゲット：Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO