共用設備検索結果
200kV電界放出形透過電子顕微鏡（JEM-2100F2） (200kV field emission transmission electron microscope)
- 設備ID
- NM-504
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-2100F2
- 仕様・特徴
- ・ショットキーFEG
・加速電圧: 100, 120, 200 kV
・TEM, STEM, EDS, EELS, 電子線トモグラフィー
200kV透過電子顕微鏡 (200kV transmission electron microscope)
- 設備ID
- NM-505
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-2100
- 仕様・特徴
- ・熱電子銃
・加速電圧: 80, 100, 120, 160, 200 kV
・TEM, STEM, EDS, EELS, 電子線トモグラフィー
2軸傾斜バイアス印加・加熱TEM試料ホルダー (Double-tilt bias and heating TEM holder)
- 設備ID
- NM-506
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- DENSsolutions (DENSsolutions)
- 型番
- Lightning
- 仕様・特徴
- ・加熱最大温度1300℃
・バイアス印可最大電圧150V
2軸傾斜液体窒素冷却TEM試料ホルダー (Double-tilt LN2 cryo TEM holder)
- 設備ID
- NM-507
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- Gatan (Gatan)
- 型番
- Gatan 636
- 仕様・特徴
- ・-160℃まで
走査型電子顕微鏡 (Field emission scanning electron microscope)
- 設備ID
- NM-508
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-7000F
- 仕様・特徴
- ・ショットキーFEG
・加速電圧: 30 kV
・分解能：1.2nm (30kV), 3.0nm (1kV)
デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)
- 設備ID
- NM-509
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
- 型番
- NB5000
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM：加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属：マイクロサンプリング、STEM, EDS
FIB加工装置（JIB-4000） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-510
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4000
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能：5nm (@30kV)
FIB加工装置（JEM-9320FIB） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-511
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能：6nm (@30kV)
FIB加工装置（JEM-9310FIB） (Focused Ion Beam systems)
- 設備ID
- NM-512
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9310FIB
- 仕様・特徴
- ・FIB：加速電圧5~30 kV、最大電流10nA
・分解能：8nm (@30kV)
ピックアップシステム (Pick-up System)
- 設備ID
- NM-513
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- ・大気中（FIB外）でガラスプローブを使ってTEMグリッド上へ固定