共用設備検索結果
酸素窒素水素分析装置、炭素硫黄分析装置 (Oxygen/Nitrogen/Hydrogen Analyzer Carbon/Sulfur Analyzer)
- 設備ID
- NM-206
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- LECOジャパン合同会社 (LECO JAPAN CORPORATION)
- 型番
- ONH836CS844
- 仕様・特徴
- 酸素･窒素・水素解析部はインパルス加熱/赤外線検出方式及び熱伝導度検出方式である。
分析範囲：［酸素］10 ppm～3％,
［窒素］10 ppm～3％(試料重量1g時）
［水素］10 ppm～2500ppm(試料重量1g時)
炭素･硫黄解析部は高周波加熱炉/赤外線検出方式である。
分析範囲：［炭素］10 ppm～6％,
［硫黄］10 ppm～6％
(試料重量1g時）
電界放出形電子線プローブマイクロアナライザー装置 (Field Emission Electron Probe Micro-Analyzer (FE-EPMA))
- 設備ID
- NM-207
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JXA-8500F
- 仕様・特徴
- ・電界放出形電子銃
・加速電圧：1～30 kV
・照射電流：10 pA ～500 nA
・測定可能元素：Be～U
・最大試料サイズ：100 x 100 x 20 mm
走査型オージェ電子分光分析装置 (Scanning Auger Electron Microprobe (CHA Type AES))
- 設備ID
- NM-208
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JAMP-9500F
- 仕様・特徴
- ・ショットキー電界放射電子銃
・空間分解能：<8 nm
・加速電圧：0.5～30 kV
・照射電流：0.1～100 nA
・測定元素：Li～U
・最大試料サイズ：14 x 14 x 5 mm
・半球型アナライザー搭載
微細組織3次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)
- 設備ID
- NM-302
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SMF-1000
- 仕様・特徴
- 最高1nmピッチで制御可能で，加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能．更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能．
・SEM：ZEISS Gemini
・EDS：EDAX
・EBSD：EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas：Carbon
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)
- 設備ID
- NM-403
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- NX5000
- 仕様・特徴
- ・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5－30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1－30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム：加速電圧0.5－2kV、最大ビーム電流20nA
無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 (Damage-less TEM specimen milling apparatus)
- 設備ID
- NM-404
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- フィッシオーネ (Fischione)
- 型番
- Model 1040 Nanomill
- 仕様・特徴
- ・イオン：アルゴン
・イオンエネルギー：50～2000eV 可変
・イオン電流：1mA/cm2
・イオンビームサイズ：2μm
セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)
- 設備ID
- NM-407
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン日立ハイテク真空デバイスマルトーTECHNOORG-LINDA (GatanHitachi High-TechVacuum DeviceMarutoTECHNOORG-LINDA)
- 型番
- 695PIPS II（精密イオン研磨装置）656 DimpleGrinder（ディンプルグラインダ）TM4000Plus II（卓上SEM）VES-30T（マルチコーター）ML-180 DoctorLap（卓上研磨機）MS2 MICROSAW（小型精密切断器）
- 仕様・特徴
- ・精密イオン研磨装置：イオンビームエネルギー: 0.1～8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属
・ディンプルグラインダ：研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0～40 g、自動停止機構付属
・卓上SEM：加速電圧：5－20kV、二次電子検出器および反射電子検出器
・マルチコーター：蒸着、イオンスパッタ、親水化処理
・卓上研磨機：研磨回転数 50～500 rpm
・小型精密切断器：50mmダイヤモンド回転刃
実動環境対応物理分析電子顕微鏡 (Real working environment physical characterization TEM)
- 設備ID
- NM-501
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-ARM200F-G
- 仕様・特徴
- ・照射系レンズ収差補正、結像系レンズ収差補正
・ショットキーFEG
・加速電圧: 80, 120, 200 kV
・TEM, STEM, EDS, EELS, 電子線ホ口グラフイー, 電子線トモグラフィー
実動環境対応電子線ホログラフィー電子顕微鏡 (Real working environmental electron holography microscope)
- 設備ID
- NM-502
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-ARM200F-B
- 仕様・特徴
- ・照射系レンズ収差補正、結像系レンズ収差補正
・Cold FEG
・加速電圧: 60, 80, 200 kV
・TEM, STEM, EDS, EELS, 電子線ホ口グラフイー, 電子線トモグラフィー
200kV電界放出形透過電子顕微鏡（JEM-2100F1） (200kV field emission transmission electron microscope)
- 設備ID
- NM-503
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-2100F1
- 仕様・特徴
- ・ショットキーFEG
・加速電圧: 100, 120, 200 kV
・TEM, STEM, EDS, EELS, 電子線トモグラフィー