【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0209
利用課題名 / Title
レジスト材料の成膜、露光プロセスの品質確認
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田川 智裕
所属名 / Affiliation
朝日インテック株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
高瀬将志,金田賢司
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
加藤剛志,本田杏奈
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-223：フォトリソグラフィ装置群
NU-230：段差計
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
レジスト材料を成膜、露光した際の品質を確認し、各工程を確立する。
実験 / Experimental
「NU-223フォトリソグラフィ装置」のうち、ドラフトチャンバ、オーブン、露光装置を用いてレジスト材料を平板基板上に成膜、露光を行った。
レジスト材料は電着型レジスト材料であり、持参した成膜用電極設備を用いて電圧を印加し、成膜面上にレジスト膜を形成した。
露光にはフォトリソグラフィ装置の露光設備及び、露光マスクを用いて行った。
Fig.1に露光マスクの外観を示す。
露光マスクは2021年度微細加工プラットフォーム(F-21-NU-0082)を用いて技術代行にて試作頂いた。
L/Sは15μm/10μmとし、サンプルに露光面を密着させ、NU-223フォトリソグラフィ装置の露光設備を用いて露光した。
パターンの確認に「NU-230段差計」を用いた。段差計はレジスト膜厚の確認のほか、パターニング後のL/Sや、現像後のレジスト膜残りを判定することで、露光条件や現像条件の確認も行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.2(a)に成膜後のサンプルを示す。サンプルは平板基板上に電着型レジスト材料を成膜するもので、印加電圧や成膜時間等により、膜厚が変化することが知られている。
Fig.2(b)にNU-230段差計のプロファイルを示す。成膜部と非成膜部を段差計で読み取ることで、膜厚を確認した。
図より、膜厚は5.14μmであることがわかる。
Fig.3に積算電流量に対する膜厚の測定結果を示す。積算電流量が増加するごとに膜厚が増加していることがわかる。
Fig.4にパターニング処理を行ったレジスト膜サンプルの外観と、膜厚測定結果を示す。
パターンが形成されていることが確認できる。
パターンの平均高さも5.5μmであり、レジスト膜残りもないことがわかる。
（段差計の測定結果は探査針の局所的な測定であり、サンプル表面が不均一だと成膜直後の測定結果と差が生じることもある。今回の試験目的からは許容内と判定した。）
以上の結果から、レジスト材料の成膜条件とパターンの形成について確認することができた。
作製サンプルは後日さらに詳細な分析を行うことで、成膜、露光条件を確立することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 picture of Photomask.(L/S=15/10μm)
Fig.2(a) Sample image of Resist coating.
Fig.2 (b) Measurement of resist layer thickness.
Fig.3 Resist layer thickness vs Accumulated current.
Fig.4 (a) Sample image of patterned Resist coating.
Fig.4 (b) Measurement of patterned Resist layer.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
試験実施にご協力いただいた名古屋大学の加藤剛志先生、本田杏奈様に感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件