【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0165

利用課題名 / Title

圧電MEMSデバイスの開発

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

丸山 佑紀

所属名 / Affiliation

ミツミ電機株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-154：住友精密TEOS PECVD
TU-062：コータデベロッパ
TU-063：i線ステッパ

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

弊社が製品化したい圧電MEMSデバイスにおいて、狭ピッチ（Line/Space=0.5μm）のパターニングが必要である。
よって、狭ピッチのパターニング技術構築を目的とする。

実験 / Experimental

Φ6インチSi基板上にi線レジスト(厚さ1 µm)のパターニング(レジスト塗布→露光→現像)を行い、パターン寸法測定を行った。
また、実パターン寸法とマスクパターン寸法の変換差の確認を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

実パターン寸法とマスクパターン寸法の変換差は次通りであった。
・レジスト残しパターン：-0.1 µm
・レジスト抜きパターン：+0.1 µm
今回の実験ではレジスト残しパターンの実パターン寸法がマスクパターン寸法に対し、やや細くなる出来栄えとなった。
原因として、今回の実験ではΦ6インチSi基板を使用したが、現像時間をΦ8インチSi基板に適した時間としたため、現像過多となった為と想定している。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件