【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0139
利用課題名 / Title
ロート形状を用いたデバイス開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ウェットエッチング、TMAH、ロート形状,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
平田 泰之
所属名 / Affiliation
住友精密工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-062：コータデベロッパ
TU-063：i線ステッパ
TU-203：DeepRIE装置#3
TU-218：TMAHエッチング槽
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
東北大学試作コインランドリの装置を利用し、ロート形状を用いたデバイスの作製をすることを目的とする。
実験 / Experimental
ロート形状を用いたデバイスの所望の形状を作製するために、コータデベロッパ及び、ステッパを使用し、ロート形状のデバイスのマスクパターンを作製した。
作製したマスクパターンでSiO2のRIEを実施し、その後、濃度25%、温度60℃のTMAHエッチング槽にパターニングしたシリコンウェハを浸けてウェットエッチングすることで、ロート形状を用いたデバイスの作製を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
マスクパターン形状は想定通りに作製することができた。RIEを用いてSiO2のマスクパターンを開口した後、TMAH溶液でシリコンのウェットエッチングを実施した結果、マスクパターンより約20 µm程度のサイドエッチングが入ることがわかった。また、図1の通り、エッチングの表面状態はウロコ状になり、光が乱反射していることから、思っていた表面状態より粗くなっている可能性があり、今後更なる改善が必要と考える。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 TMAH溶液でのエッチング結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件