【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0110
利用課題名 / Title
無線通信向けGaN-HEMT
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
丸岡 うらら
所属名 / Affiliation
ローム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
鶴谷敏則,吉田孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
i線ステッパを用い、0.5 µm程度の微小幅のラインパターン開口が可能であるかを評価した。
実験 / Experimental
露光条件（ドーズ量、フォーカス）を変化させせながら開口幅0.25～0.7 µmのラインパターンをリソグラフィーし、開口幅の下限値を評価した。
フォトレジストは、厚み1 µmのTDMR-AR80 6cPと厚み0.3 µmのTDMR-AR80 2cPの２種類を使用した。
結果と考察 / Results and Discussion
開口幅の下限値は、 TDMR-AR80 6cPで0.4 µm、 TDMR-AR80 2cPで0.25 µmであった。
図１には TDMR-AR80 6cPを使用し、設計開口幅
0.4 µmのパターンをリソグラフィーした場合の開口パターン断面に対するSEM像を示す。
パターンの角が丸まっておりキレイな矩形でないことから、露光条件の追い込みがまだ甘いと考えられる。
しかしながら、目標としていた開口幅0.5 µmのラインパターンを形成することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件